汎銓與國研院攜手，突破EUV結構分析瓶頸

MoneyDJ新聞 2026-10-27 10:44:22 周佩宇 發佈

汎銓（6830）與國研院國家儀器科技研究中心合作，開發用於新一代高數值孔徑極紫外光（High-NA EUV）製程的材料分析技術，透過低於100°C的鍍膜製程，保護晶圓上的微細結構，降低檢測時造成的損傷，並打入全球前三大半導體設備商與製造商的製程驗證分析服務供應鏈。

隨半導體製程朝2奈米及更先進節點發展，High-NA EUV搭配金屬氧化物光阻劑，可製作更精細的電路，但也提高後續檢測難度。晶圓在曝光後，須剖開觀察內部結構及材料變化，過程中容易造成微細結構變形，影響分析準確性，因此須先鍍上保護膜。

國研院表示，目前市售原子層沉積設備的操作溫度多在200°C以上，此次開發的設備可在低於100°C的環境下鍍膜，符合光阻劑的保護需求；汎銓則依客戶材料與分析需求調整製程參數，在光阻劑表面形成均勻、緻密的奈米級保護層，讓後續分析更貼近晶圓原始狀態。

國研院指出，這是全球首個針對此製程成功鍍膜的研究成果，艾司摩爾（ASML）在國際光電工程學會（SPIE）論壇發表High-NA EUV相關技術時，也曾引用。雙方後續將持續投入先進半導體材料分析與驗證技術開發。