MoneyDJ新聞 2025-09-25 10:33:40 黃立安 發佈
IP矽智財業者M31(6643)今(25)日宣布延續先前在台積電(2330)N12e製程上成功驗證的低功耗IP 解決方案，現已進一步擴展至N6e平台，推出全新超低漏電(ULL)、極低漏電(ELL)以及低電壓操作(Low-VDD)記憶體編譯器。
M31總經理張原熏(圖左)表示，M31與台積長期合作，是公司持續創新的重要基石。從N12e低功耗解決方案到最新的N6e ULL、ELL及Low-VDD記憶體編譯器，可協助AIoT與邊緣應用加速晶片設計的成功落地。展望未來，期待與台積及OIP生態系夥伴深化合作，共同推動AI驅動技術的發展。
M31出席2025台積北美開放創新平台生態系論壇時表示，基於台積N6e先進製程開發的這系列記憶體編譯器，專為AI邊緣運算與物聯網(IoT)裝置打造，進行極致低功耗最佳化設計，並提供採用LL、ULL與ELL SRAM bit cells的客製化解決方案，協助智慧家庭、穿戴式裝置等應用在效能與功耗之間取得平衡。
其中，N6e製程ULL記憶體編譯器具備高密度、高效能的SRAM與One Port Register File，並支援備援、電源閘控、掃描測試、內建自我測試MUX及寬頻範圍Dual-rail，能實現動態電壓與頻率調整，並採用High Sigma設計方法，確保在嚴苛邊界條件下依然穩健運作。
ELL記憶體編譯器則進一步提升功耗效率，在深度睡眠模式下可降低高達50%功耗，滿足對能效與晶片面積要求嚴苛的設計需求，同時兼顧速度與彈性。此外，低電壓記憶體編譯器可在僅 0.5V的操作電壓下運行，大幅降低動態與漏電功耗。
M31表示，透過ULL、ELL與Low-VDD三大產品組合，為N6e平台提供完整且高彈性的設計支持。同時，M31再度榮獲2025年台積OIP年度合作夥伴特殊製程IP獎，為公司連續第八年獲得此殊榮。
