雙極性電晶體(BJT)

雙極性電晶體(Bipolar Junction Transistor，簡稱BJT)是一種基本的半導體元件，廣泛應用於電子電路中。BJT由三層半導體材料組成，這三層分別稱為發射極(Emitter)、基極(Base)和集電極(Collector。這些層的排列方式形成兩個PN接面，分別是發射極-基極接面和基極-集電極接面。根據半導體材料的類型，BJT可以分為NPN型和PNP型兩種。

 

BJT的工作原理是通過基極電流來控制集電極和發射極之間的電流流動。當基極電流流入或流出時，會影響到集電極和發射極之間的電流，這種特性使得BJT能夠用作電流放大器。具體來說，BJT的電流增益(通常用β或hFE表示)是集電極電流與基極電流的比值，這一特性使其在放大電路中非常有用。

 

BJT應用範圍廣泛，常見於放大器、開關電路和振盪器等。作為放大器，BJT可以將微弱的信號放大到足夠的強度，以驅動後續的電路元件。在開關電路中，BJT可以用來控制較大的電流或電壓，通過基極電流的開關來實現電路的開啟或關閉。此外，BJT還可以用於振盪器電路中，生成穩定的振盪信號。

 

BJT與MOSFET比較：

BJT是一種電流控制元件，具有高電流增益和良好的線性放大特性，適合用於模擬放大電路，但其輸入阻抗較低且基極電流會造成功率損耗，開關速度雖快但受限於存儲電荷。而 MOSFET(金氧半場效電晶體)則是電壓控制元件，擁有極高的輸入阻抗和低功耗特性，適合高速開關與數位電路應用，其開關速度快且熱穩定性較佳，但線性度不如BJT，且製程較複雜成本較高。總體而言，BJT更適合需要高增益和良好線性度的模擬放大應用，而MOSFET則適用於低功耗、高頻開關與數位電路領域。