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        大中積體電路股份有限公司
            
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                    請參考大中積體電路股份有限公司 
	
		(一) 公司簡介 
		1.沿革與背景 
		大中積體電路股份有限公司成立於2008年8月,原為茂達旗下金屬氧化物半導體廠效電晶體(MOSFET)生產部門,後分割成立。公司主要法人股東為茂達。  
		2.營業項目與產品結構
 公司專注於高功率半導體產品線開發,並以能提供與國際大廠競爭之產品性能、品質與服務為目標,產品線包含率半導體產品,如溝槽式金氧半功率場效電晶體(TrenchPower MOSFET、槽式絕緣子功率電晶體(IGBT)及各項保護與整合型產品。
 
		(二) 產品與競爭條件
 1.產品與技術簡介
 
		公司為功率半導體的元件設計業位半導體產業體系之中游,但在電子產業供應鏈上則屬於中游角色,上游承自晶圓廠、封裝與測試廠,下游則服務於系統廠商(終端客戶群)。
 公司主要為自行研發設計或接受客戶委設計產品。製程將所需的佈局設計完成後,透過光罩製作與晶圓代工製作成晶圓半成品,再經過前段測試後再交由封裝廠進行切割與封裝,最後交由專業測試廠做後段測試產品才算完。
 
 A. 溝槽式金氧半功率場效電晶體(Trench Power MOSFET):應用於PC、工業電腦、NB、LCD、手持式裝置、電池、電源供應器等電源裝置。
 
		B.溝槽式絕緣閘双載子功率電晶體(IGBT):具低導通壓降低其切換後損,適用於高電流及高電壓運作系統中的電源控制元件。 
		 
		圖片來源:公司網頁 
		2.重要原物料 
		主要原料包括磊晶矽晶圓、晶圓代工、封裝測試。
 (三) 市場銷售與競爭
 
		1.銷售狀況 
		2023年銷售地區為內銷佔18%,外銷佔82%,其中亞洲市場佔80%。 
		2.國內外競爭廠商 
		主要競爭者包括Infineon、NXP、STMicroelectronics、Vishay、Diodes、力士、尼克森、杰力、全宇昕、富鼎等。
 
 
                
        
        
        
        
    
                
        
        
        
        
    
             
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