(二)產品與競爭條件
1.產品與技術簡介
公司以先進製程技術提供晶圓製造服務,提供14奈米到0.6微米等製程技術,為IC產業各項應用產品生產晶片,依據客戶需求提供邏輯與混合信號、嵌入式非揮發性記憶體、高壓、雙極-互補金屬氧化半導體-雙重擴散金屬氧化半導體、微機電感測器及混合信號、射頻互補金屬氧化半導體技術、射頻絕緣半導體、2.5D/3D先進封裝、氮化鎵、砷化鎵等製程技術。
(1)互補金屬氧化半導體邏輯(CMOS Logic)製程:用以製造執行邏輯運算功能之晶片,如特定應用處理器、可程式化閘陣列、及各式多媒體處理器等晶片。
(2)立體鰭式場效電晶體(3D FinFET)製程:相較於28及22奈米以上節點所用之傳統平面式電晶體元件製程,3D FinFET製程更適用於強調高性能低耗電之高階邏輯運算應用,如手機基頻處理器、應用處理器、高速記憶體控制器等晶片。
(3)射頻互補金屬氧化半導體(RF CMOS)製程:用以製造高頻無線通訊之晶片,如手機射頻收發器、無線區域網路、藍芽通訊等晶片。
(4) 嵌入式非揮發性記憶體(Embedded Non-Volati le Memory)製程:用以製造整合邏輯和嵌入式記憶體製程 (emb-Flash/RRAM/MRAM )的晶片,如通用型微控制器、觸 控晶片、智慧卡晶片、金融卡晶片、車規微控制器、物聯網低功耗微控制器等晶片。
(5) 嵌入式高壓(Embedded High Voltage)製程:用以製造手機、電視、平板、AR/VR等LCD與OLED面板所需之顯示驅動IC、電子紙螢幕驅動IC等晶片。
(6)BCD(Bipolar - CMOS - DMOS)製程:用以製造各式電源管理及電源轉換等晶片,廣泛用於手機、筆記型電腦、汽車、電視、平板及各式工控電子產品。
(7)射頻絕緣上覆矽(RFSOI)製程:用以製造手機、無線區域網路、無線基地台前端裝置所需之射頻開關及低噪放大器等晶片。
(8)砷化鎵(GaAs)製程:用以製造手機、通訊基地站所需之無線射頻前端相關晶片。
(9)氮化鎵(GaN)製程:用以製造通訊基地站之5G射頻前端相關晶片,以及用於搭配手機、平板、筆記型電腦等高功率密度行動充電器、資料伺服器的電源供應器、電動車車載充電器所需之晶片。
(10)2.5D/3D先進封裝製程:廣泛用在各式應用場景,如高效能電腦運算、5G智慧手機鏡頭模組、人工智慧邊緣裝置、及車用先進晶片等之製造。
2.重要原物料
IC製造之原物料包括矽晶片、製程用化學原料、光阻、氣體,以及研磨液、研磨墊與鑽石碟等。
3.主要生產據點
生產基地 |
廠房 |
晶圓尺寸 |
台南 |
12A廠 |
12吋 |
新加坡 |
12i廠 |
12吋 |
廈門 |
聯芯12X廠 |
12吋 |
日本 |
USJC 12M廠 |
12吋 |
新竹 |
8A廠 |
8吋 |
新竹 |
8C廠 |
8吋 |
新竹 |
8D廠 |
8吋 |
新竹 |
8E廠 |
8吋 |
新竹 |
8F廠 |
8吋 |
新竹 |
8S廠 |
8吋 |
蘇州 |
和艦8N廠 |
8吋 |
新竹 |
聯穎光電(WTK) |
6吋 |
2022年2月公司宣布將在新加坡擴廠,主要製程為22及28奈米,預計2026年初量產。
(三)市場銷售及競爭
1.銷售狀況
2025年Q1客戶別比重為設計公司82%、整合元件廠18%;產品銷售地區比重為亞洲66%、北美22%、歐洲7%、日本5%。
2.國內外競爭廠商
公司主要競爭對手包括台積電、Samsung、GlobalFoundries、中芯半導體等公司。
(四)財務相關
1.合作案
聯電和Intel於2024年1月共同宣佈,雙方將合作在美國開發製造12奈米FinFET製程平台。