潘平定
摘要:
- 雖2000年第4季DRAM廠製程轉移至0.18/0.175um,但由於PC需求成長減弱情形下,預估出現4%供過於求,國內DRAM廠產出數目雖可增加近5成,但營收較前一季減少在2%-29%之間。
- 預估在2000年將出現2%供過於求,2001年將減少為1%,2002年則反向出現2%供給缺口,顯示在2003年12吋廠量產前,DRAM超額供給將逐漸減少,但短期而言,由於PC市場需求仍疲弱,預估在2001年第一季前,仍將出現供過於求狀態。
- 依據WSTS預估2000年DRAM產值324億美元,較1999年成長56%,2001-2003年的產值成長率依序為29%、10%及9.3%,至2003年前DRAM產業仍呈現成長狀況,但成長率已漸趨緩。
- 就投資建議而言,DRAM價格之下跌為反應下游需求減緩(特別是PC市場),在價格尚未出現止跌訊號前,建議仍採觀望態度,因為價格持續下跌對廠商未來之營收、獲利之預期仍呈現負面效果。
- 考慮未來成長趨緩及股價修正幅度,研究員認為DRAM股價修正,已反應對未來PC需求下滑之預期,華邦股價由最高106元下跌至目前約30元,修正幅度超過7成,不過因與東芝/富士通行研發下一代DRAM產品,向自主研發邁進,未來競爭力強值得留意;茂德則為DRAM代工廠,獲利較不易受DRAM現貨價格波動影響,目前兩者股價皆處於歷史低檔區,建議短線可在本益比8-12倍區間操作,長線買點仍應等待2001年第一季末景氣回升之時。
- 由於DRAM產業為一景氣循環股,DRAM價格高低變動,影響公司營收、獲利甚鉅,也直接影響股價之變動高低。由於景氣波動幅度大,股價亦會產生超漲超跌之現象,投資風險應詳加考量。
壹、前言:
DRAM為一種標準產品,其景氣波動幅度大、投資額亦高之產業,過去20年產值平均成長率約20%,但成長率最高可以達1.5倍以上,最低也可以衰退5成;1999年成長率為46%,預估2000年有接近60%成長率,對廠商而言須能在景氣成長時,儲備足夠戰糧,才能應付下波不景氣時寒冬,預估台灣2000年約可佔全球約2成之市佔率,已漸具國際競爭優勢。
依過去經驗DRAM景氣復甦期間長達3-4年,1999年DRAM由谷底翻揚後,大家原本預估2000年DRAM將有豐收的一年,包括Dataquest,
De Dios
預估2000年第4季將將出現超過一成以上供不應求之狀況,DRAM價格可超過10美元以上;但由於受到全球通訊及PC市場需求成長率趨緩及各廠製程提升之影響,依目前觀察第4季DRAM反而出現供過於求之狀況,DRAM價格也由第2季約8.5美元跌至目前約4美元,相對應股價也由6月高點跌至1998年不景氣時相對低檔。故本文從DRAM第4季營運預估、DRAM供需情形、各公司營收、獲利成長性及穩定性、股價與DRAM價格進行分析,以使投資者能充分瞭解DRAM景氣變遷之狀況及所需觀察之指標,期能做為有效之投資決策。
貳、國內DRAM廠2000年第4季營運檢視
- 國內DRAM廠第4季產出數目可增加約5成,但營收將較第3季減少2-29%之間。
- 預估第4季供給大於需求約4%,價格仍將向下測底。
1999年DRAM景氣由谷底翻升,2000年前3季DRAM廠營收獲利皆有不錯之表現(表一),第3季單季營收年成長率皆有超過1倍之佳績;第4季預估製程由0.25/0.20um轉移至0.18/0.175um後,估計每片晶圓產出可增加約6成,然受到年初廠商過度樂觀而囤積存貨,加上下半年全球通訊及PC市場需求成長率趨緩之影響(IDC統計2000年第3季PC出貨量年成長率為18.3%,較1999年第3季年成長率24.7%衰退),在廠商爭相出清庫存之效應下,價格呈現重挫現象(圖一),使得國內廠商雖然產出增加近5成(表二),預估營收可能下滑2%-29%。
估計在2000年第4季PC需求年成長率約為15-18%,但在全球DRAM大廠第4季因製程轉移至0.18/0.175um,造成供給量增加,故依據De
Dios
之推估,2000年第4季Demand/Supply比率為96%,反而顯示與過去經驗相反出現旺季供過於求之現象,預估在2000年第1季前仍將維持供過於求現象。
表一、 DRAM廠2000年第3、4季營運檢視 單位:億元
公司 |
3Q00 營收 |
QoQ% |
YoY% |
4Q00 營收(估) |
QoQ% |
YoY% |
前3季 獲利 |
EPS(元) |
華邦 |
156 |
34% |
146% |
122 |
-22% |
4% |
93 |
2.60 |
力晶 |
68 |
111% |
161% |
64 |
-6% |
129% |
31 |
1.65 |
茂德 |
72 |
36% |
103% |
51 |
-29% |
-37% |
57 |
2.11 |
南科 |
56 |
69% |
128% |
54 |
-2% |
125% |
31 |
1.42 |
資料來源:中興證券研究部。
表二、 DRAM廠2000年第3、4季產出狀況
|
3Q00產出片數(K片) |
4Q00產出片數(K片) |
QoQ%
|
3Q00產出顆數(萬顆) |
4Q00產出顆數(萬顆) |
QoQ%
|
3Q00製程/顆數 |
4Q00製程/顆數 |
華邦 |
90 |
105 |
17% |
4,000 |
6,000 |
50% |
0.20(540) |
0.175(810) |
力晶 |
65 |
85 |
31% |
3,200 |
5,400 |
69% |
0.18(844) |
0.18(844) |
茂德 |
105 |
110 |
5% |
5,300 |
7,700 |
45% |
0.20(588) |
0.175(1024) |
南科 |
82.5 |
110 |
33% |
2,500 |
4,000 |
60% |
0.20(540) |
0.20(540) |
資料來源:中興證券研究部。
圖一、64M PC100 2000/1/1-2000/10/31 價格圖

資料來源:Bloomberg
參、DRAM 供需分析
預估在2000年將出現2%供過於求,2001年將減少為1%,2002年將反向出現2%供給缺口,顯示在2003年12吋廠量產前,DRAM供給成長率逐漸減少。
一、供給面分析
2000年折合64Mb
DRAM產出約40億顆,較1999年23億顆成長72%,2001年可達65億顆,成長68%,預估在主要DRAM廠產能移往生產Flash產品,及2003年12吋廠量產前廠商不易大幅擴充機台下,DRAM供給成長可維持較為穩定之狀態。
由於DRAM產量提升可由產能提升及製程提升兩種途徑,所以在供給方面,除了在製程轉移階段因良率不穩定外,供給方面相當較容易估算,依據Dataquest預估今年折合64Mb可達約40億顆,較去年23億顆成長72%,預估明年可達65億顆,可成長68%,已較於1998年成長率約101%大幅減少,Dataquest
依據品牌名稱統計出貨量,預估三星、現代、美光具有57%市佔率(表三),計入IBM/Infineon、NEC/Hitachi等共計85%市佔率,整體供給市場已由前5大集團所掌控,供給方面漸趨穩定。
表三、DRAM廠折合64M出貨量 單位:百萬顆
|
2000Q1 |
2000Q2 |
2000Q3 |
2000Q4 |
2001Q1 |
2001Q2 |
2001Q3 |
2001Q4 |
2000 |
2001 |
Samsung |
127.8 |
149.4 |
186 |
222 |
264 |
296 |
331 |
372 |
685.2 |
1263 |
佔有率% |
17% |
17% |
18% |
18% |
19% |
19% |
19% |
20% |
18% |
19% |
Hyundai |
142 |
171 |
208 |
252 |
284 |
333 |
382 |
428 |
772 |
1,427 |
佔有率% |
19% |
19% |
21% |
20% |
20% |
22% |
22% |
23% |
20% |
22% |
Micron |
172 |
170 |
184 |
220 |
295 |
285 |
340 |
352 |
746 |
1,272 |
佔有率% |
22% |
19% |
18% |
18% |
21% |
19% |
20% |
19% |
19% |
20% |
IBM |
14 |
19 |
27 |
17 |
- |
- |
- |
54 |
77 |
54 |
Infineon |
76 |
103 |
104 |
118 |
131 |
200 |
201 |
164 |
401 |
696 |
Mosel |
24 |
25 |
31 |
42 |
47 |
45 |
56 |
75 |
123 |
223 |
Nan Ya |
7 |
12 |
12 |
75 |
38 |
38 |
46 |
48 |
105 |
170 |
佔有率% |
16% |
18% |
17% |
20% |
16% |
18% |
18% |
18% |
18% |
18% |
NEC |
55 |
66 |
72 |
87 |
96 |
94 |
122 |
120 |
280 |
432 |
Hitachi |
26 |
33 |
24 |
32 |
41 |
48 |
46 |
46 |
115 |
181 |
佔有率% |
11% |
11% |
9% |
10% |
10% |
9% |
10% |
9% |
10% |
9% |
Fujitsu |
8 |
9 |
9 |
11 |
9 |
11 |
10 |
12 |
38 |
42 |
Toshiba |
54 |
58 |
66 |
54 |
68 |
62 |
80 |
82 |
231 |
292 |
Winbond |
13 |
14 |
7 |
25 |
28 |
29 |
28 |
30 |
59 |
114 |
佔有率% |
10% |
9% |
8% |
7% |
8% |
7% |
7% |
7% |
8% |
7% |
Mitsubishi |
31 |
29 |
34 |
39 |
45 |
45 |
45 |
45 |
133 |
180 |
Powerchip |
4 |
5 |
12 |
14 |
15 |
15 |
16 |
18 |
34 |
64 |
Vangurd |
11 |
13 |
35 |
36 |
24 |
25 |
15 |
16 |
95 |
81 |
佔有率% |
6% |
5% |
8% |
7% |
6% |
6% |
4% |
4% |
7% |
5% |
Others |
1 |
2 |
3 |
4 |
4 |
6 |
6 |
7 |
10 |
23 |
合計 |
766 |
877 |
1,013 |
1,248 |
1,389 |
1,532 |
1,724 |
1,869 |
3,905 |
6,513 |
資料來源:Dataquest (Aug. 2000),中興證券研究部。
由於設立DRAM廠時間長達1.5-2年,產能提升需一年以上之時間,所以在設立新廠時,廠商就需考慮所面對市場變化風險,在經歷1998年不景氣後DRAM市場重整,新廠設立的動作就保守許多,統計1999年新開出產能的DRAM廠,也不過是NEC、Hitachi、Samsung、華邦等這4家而已,而2000年更是只有Samsung、Micron與南亞科技三座廠,新增DRAM晶圓廠的數目遠小於1996-1997年間數目(圖二)。
圖二、 歷年新增的DRAM晶圓廠數目(折算以8吋廠換算)

註:2000-2002年為預測,12吋廠一座約為8吋2.5座。
資料來源:Dataquest,SSB,中興證券研究部。
在製程提升上,DRAM產業自1996年後以來,幾乎每年更換一種新製程技術,從0.5um、0.35um、0.25、0.20um、至目前0.18/0.175um,2001年預計提升至0.15um。每提升一個製程,讓廠商在不必大幅更換機台情況下,可以讓每片晶圓產出顆數增加約50-80%的產出,產生供給增加另一項變因。例如以64Mb
DRAM在0.20微米的單片晶圓的產出顆數約500顆,到了0.18微米時,產出可達約800顆,增加幅度達6成左右水準。由於製程迅速提升更換,使得製程落後廠商無法與先進成本競爭,例如今年上半年包括力晶、南科由於製程停留在0.25um,相對於其他廠商已進入0.20/0.175um製程,較無成本競爭力。在2001年由0.18um進入0.15um時,由於需使用193nm
DUV機台(使用248nm DUV提升良率較差),不過由於DUV機台從下訂至交貨需長達1年以上,預期能有效減緩DRAM供給增加之幅度。
由於根據SEMATECH的估算(表四),採用0.18微米鋁∕二氧化矽製程的8吋晶圓製造成本為1,697美元,而12吋晶圓則需2,663美元,成本高出57%;但若以單位面積為1平方公分晶粒的製造成本來看,8吋晶粒製造成本為5.4美元,而12吋晶粒的製造成本僅需3.77美元,成本便宜了30%,對DRAM廠而言,興建12吋廠成為降低成本之最重要競爭優勢,故12吋廠之興建攸關廠商能否維持量產規模及低成本優勢之關鍵因素,故可發現全球DRAM領導廠商包括:Infineon、NEC、三星、美光、東芝及台灣等廠商皆有切入12吋廠計畫(表五)。
若以同製程產出而言,12吋晶圓產出顆數約為8吋2.5倍,故未來12吋廠量產進度一直是影響DRAM供給量最大之變數,預估12吋廠大量量產時間約在2002-2003年間,對DRAM市場將產生嚴重供過於求之不利影響。最近受全球股市不佳影響,晶圓廠籌資受挫,可能遞延新廠能增加之速度。力晶董事長黃崇仁近期赴日本三菱洽談合作計畫說:「第三季以來DRAM走跌,不僅打亂國內晶圓廠數百億元的籌資計畫,也影響到國際DRAM公司的擴產計畫,以日、韓大廠為例,多數12吋廠的興建時程將延後兩季」,故未來12吋廠之進度牽涉DRAM產業何時再出現供過於求景氣轉折點,仍須密切觀察。
表四、8吋轉移至吋12吋晶圓廠的成本結構差異
|
|
鋁 / SiO2 |
銅 / Low-k |
|
|
0.25μm |
0.18μm |
0.13μm |
8吋 |
每片晶圓成本(美元) |
1,437 |
1,697 |
2,122 |
平均每平方公分成本 |
4.58 |
5.4 |
6.76 |
12吋 |
每片晶圓成本(美元) |
2,303 |
2,663 |
3,328 |
平均每平方公分成本 |
3.26 |
3.77 |
4.71 |
8吋轉換
至12吋 |
每片晶圓成本增加率 |
60% |
57% |
57% |
平均每平方公分成本增加率 |
-29% |
-30% |
-30% |
Source:Sematech,2000/6月。
表五、預估全球12吋晶圓廠(DRAM相關產品)的投入時程
公司名稱 |
晶圓廠地點 |
晶圓廠名稱 |
預計量產時間 |
製程(um) |
滿載月產能(片) |
NEC |
日本 |
C PHASE 2 |
2001 |
0.13 |
5000 |
Toshiba |
日本 |
PHASEⅡ |
2001 |
0.15 |
N/A |
Micron |
美國 |
PHASE 1 |
2002 |
0.15 |
40,000 |
NEC |
美國 |
G-Line |
2002 |
0.15 |
20,000 |
Hyundai |
韓國 |
Fab 8 |
2002 |
0.15 |
20,000 |
Infineon |
德國 |
N/A |
2002 |
0.13 |
21,500 |
Toshiba |
日本 |
N/A |
2002 |
0.15 |
15,000 |
Samsung |
韓國 |
Line 11 |
2002 |
0.15 |
25,000 |
PROMOS |
台灣 |
Fab II |
2002 |
0.14 |
20,000 |
MITSHBISHI |
日本 |
N/A |
2003 |
0.15 |
30,000 |
Hyundai |
美國 |
E-4 PHASE 2 |
2003 |
0.13 |
15,000 |
Winbond |
台灣 |
Fab 6 |
2003 |
0.15 |
20,000 |
NEC |
日本 |
C PHASE 3 |
2003 |
0.07 |
5,000 |
MOSEL |
加拿大 |
N/A |
2003 |
0.13 |
30,000 |
資料來源:SEMI,中興證券研究部。
由於Flash大幅應用在手機、數位相機、MP3、IA等產品,市場對Flash的需求大增,造成快閃記憶體的價格持續上漲,據 IC
Insights 統計,1999年全球快閃記憶體產值,已經首度超越SRAM,成長高達
60%以上,達46億美元,預估1999到2002年的年複合成長率將高達49%,2002年可達150億美元。由於Flash應用領域非常廣泛,較不屬於標準產品,也可以較舊製程生產,客戶需求較為穩定,在廠商看好未來通訊、消費性電子市場後,更加快了廠商將產能移往生產Flash,使得全球DRAM大廠有意進行將部分DRAM產能轉為生產Flash之動作。
例如:三星要在3?4年內拿下全球第一大快閃記憶體製造商的地位,目前三星在全球快閃記憶體市場佔有率排名第八,已將1條DRAM生產線移做快閃記憶體和SRAM生產之用,另外如富士通及夏普,正藉由與英特爾和超微合作的契機,加碼購置快閃記憶體廠的生產設備,其中富士通更表態指出,要在2001年終止日本境內的DRAM生產事業,將持續增產快閃記憶體;Micron從2000第一季開始,亦規劃將在新加坡廠及美國廠各挪出1萬片產能為客戶代工生產16Mb及32Mb
Flash,估計2000年下半年起,Micron 64Mb
DRAM產出量每月將較原先規劃減少1000萬顆,2001年SRAM與Flash佔之營收比重將由2000年5-6%,提升至12%。
二、需求面分析
PC領域應用仍屬最大約佔6成,其他應用領域如通訊Routers、消費性電子用DVD Player、Video
Games應用漸增,預估在較差情況下,DRAM需求成長仍可達64%。
依據Dataquest
統計,DRAM之需求來源及成長率如圖三所示,可以發現PC之仍是DRAM主要需求來源約佔6成,其次為記憶體模組約佔18-20%,工作站或伺服器約佔11%、主機板或附加卡約3%,不過也可以發現其他應用領域產品用量持續穩定成長,例如:Data
Storage Drivers、印表機、Router、DVD Player、Set-top
Boxes等資訊、通訊及IA相關應用產品,預計未來平均將達35%成長率。
圖三、 DRAM需求來源之比重

資料來源:Dataquest,中興證券研究部。
其中影響性較大之因素為PC之成長率與PC所搭配之DRAM容量,Dataquest預估2000年PC為1.33億台,2001年為1.53億台,成長率15%,與其他研究機構預估稍為樂觀(表六),其中爭議性較大為搭配容量,Dataquest估計2000年及2001搭配之容量為148MB及229MB,成長率高達55%。
過去PC市場規模的年成長率約在12%?17%之間,而每台PC上DRAM位元用量隨系統提升,年度複合成長率約為45%,這兩個因素,使得過去10年DRAM位元的需求年度複合成長率達到68%左右,可以從歷年的資料中迴歸分析中取得驗證,如圖四所示:
圖四、 近20年來DRAM總位元成長率

資料來源:工研院電子所,ITIS計畫。
中興證券認為在全球預估2001年經濟景氣衰退時,PC容量成長率大於過去10年平均成長率45%,是較為困難,表七為PC需求下降或PC容量成長下降之敏感性分析,預估在較差情況下,PC出貨量成長10%,PC容量成長45%情況下,預估2001年DRAM需求量仍有64%成長率,顯示DRAM總位元需求仍呈6成以上成長率,與過去成長率相差不大。
表六、 全球個人電腦 (含筆記型及桌上型電腦)單位:千台
年份 |
1997 |
1998 |
1999 |
2000 |
2001 |
2002 |
市場量 |
81,055 |
91,122 |
112,520 |
131,120 |
146,985 |
163,888 |
成長率 |
15.60% |
12.40% |
23.50% |
16.50% |
12.10% |
11.50% |
資料來源:MIC
表七、 PC出貨量及搭配容量之敏感度分析
年份 |
2000 |
2001 |
2001 |
2001 |
2001 |
2001 |
Case |
|
Case I |
Case II |
Case III |
Case IV |
Case V |
PC出貨量 (百萬台) |
133 |
152 |
153 |
149 |
149 |
146 |
容量(Mb) |
148 |
229 |
215 |
229 |
215 |
215 |
總容量 (百萬MB) |
19,684 |
34,808 |
32,806 |
34,112 |
31,967 |
31,396 |
成長率% |
|
77% |
67% |
73% |
62% |
60% |
成長性差額 |
|
|
10% |
4% |
14% |
7% |
PC需求比重% |
|
|
59% |
59% |
59% |
59% |
影響性 |
|
|
6.00% |
2.09% |
8.52% |
4.23% |
其他非PC 需求(百萬MB) |
13,679 |
23,254 |
23,254 |
23,254 |
23,254 |
23,254 |
合計(百萬MB) |
33,363 |
58,062 |
56,060 |
57,366 |
55,221 |
54,650 |
DRAM成 長率% |
|
74% |
68% |
72% |
66% |
64% |
附註:Case
I為Dataquest之原估計(出貨量成長15%、容量成長53.9%),CaseII將PC容量修正為216MB(成長45%),Case
III修正PC出貨量成長12%,Case IV修正出貨量成長12%及容量成長45%,Case V為PC出貨量成長10%,容量成長45%。
資料來源:中興證券研究部。
三、供給需求狀況分析
長期而言,在2003年12吋廠大幅量產前,供需由供過於求情況下漸趨於平衡;不過短期受DRAM製程提升產出增加效果,及在PC需求減弱及廠商提前備存貨效果下,呈現供過於求現象,64M
DRAM價格也由8月8.5美元,重挫至10月底只有4美元。
一般而言,當市場有供過於求之壓力時,買氣較弱,價格下降通常能刺激市場需求;反之當市場需求較旺盛時,則價格上升,則反會壓抑消費者之需求,所以一般會以DRAM供需比來反應市場價格漲跌程度。
依據Dataquest統計DRAM最近幾年供給成長率如表八所示,供給成長率已漸緩,預估在2003年之前供給成長率可漸緩下,雖PC市場不若以往高成長,DRAM需求仍可維持在64%,預估在今年有2%供過於求,2001年仍有1%供過於求之壓力,2002年因為新增供給減少會出現2%供給短缺,至2003年因為12吋廠量產原因,則又再度出現供過於求現象。
表八、 DRAM長期供需表
|
年 份 |
1999年 |
2000年 |
2001年 |
2002年 |
2003年 |
供給面 |
供給量 (64Mb百萬) |
2,300 |
3,905 |
6,513 |
10,626 |
19,625 |
年度成長率 |
- |
70% |
67% |
63% |
85% |
需求面 |
年度成長率 |
- |
68% |
66% |
65% |
66% |
供給減需求的年增率差額 |
- |
2% |
1% |
-2% |
19% |
資料來源:Dataquest,中興證券研究部。
如前所述,顯示未來DRAM產業仍充滿很多變數,就2003年來看,若無其他殺手級應用出現(如Windows
系統、IA、通訊),一旦12吋廠量產開出,勢必引發一場價格崩跌;但就個別廠商而言,若無12吋廠必將無法競爭,而被迫退出DRAM市場;若所有DRAM廠皆投入12吋廠,必將破壞產業供需均衡狀況。不過由於12吋廠建廠經費約25-30億美元,廠商設廠投資風險非常大,在目前全球經濟成長趨緩情況下,廠商會將12吋廠興建計畫延緩1-2季,在國際大廠審慎評估12吋廠興建計畫後,或許在2003年前DRAM供需不致過份悲觀。
但短期而言,DRAM供需狀況變因相當大,不管是供給面變因(地震、產能/製程提升、停電等)、需求面(季節性需求、OEM/系統廠商、通路之預期心理導致囤積或出清存貨效應)皆會影響短期供需狀況,短期DRAM供需比可當反應價格趨勢強弱指標,因為供過於求狀況發生時,以DRAM廠而言,會造成本身存貨增加及跌價損失擴大之風險,DRAM廠仍會壓低價格以消化存貨。
DRAM供給方面,在2000年第4季全球領導廠商及台灣廠商皆切入0.18/0.175um製程(表九),預估第4季折合64M
DRAM供給可達12.5億顆,較第3季成長23%,在第4季PC需求成長率只達17-18%(IDC,
Dataquest),PC成長減弱情況下(表六),預估至2001年上半年將仍呈現供過於求之現象,在這種情況下,目前DRAM現貨價以跌至約4美元(合約價約4-4.5美元),已低於包括三星、現代之成本,領導廠商是否因此減產、轉換產品之現象值得觀察,故依據De
Dios
之推估(表十),今年第4季Demand/Supply比率為96%,反而顯示與過去經驗相反出現旺季供過於求之現象,依目前供需發展情形,預估2001年第1季前仍將維持供過於求,第2季有機會反轉成需求超過供給。
表九、全球DRAM製造廠商製程進度
|
2000Q1 |
2000Q2 |
2000Q3 |
2000Q4 |
2001Q1 |
2001Q2 |
2001Q3 |
2001Q4 |
2002Q1 |
Micron |
0.18um(740) |
0.15um(950) |
|
|
|
|
|
|
|
Samsung |
0.19um(650) |
|
0.17um(810) |
|
|
0.15um(1000) |
|
|
|
Hyundai/LG |
0.18um(720) |
|
|
|
0.15um(1000) |
|
|
|
|
Infineon |
0.17um(1028) |
|
|
|
|
|
0.14um(1500) |
|
|
NEC |
0.2um(750) |
|
0.18um(700) |
|
|
|
|
|
|
Hitachi |
0.18um(700) |
|
|
|
|
|
|
|
|
Toshiba |
0.175um(810) |
|
|
|
0.15um(1150) |
|
|
|
|
Mitsubishi |
0.18um(844) |
|
|
|
|
|
0.15um(1250) |
|
|
茂德 |
|
|
0.17um(1028) |
|
|
|
|
0.14um(1500) |
|
華邦 |
|
|
0.175um(810) |
|
|
|
|
0.15um(1150) |
|
力晶 |
|
0.18um(844) |
|
|
|
|
|
|
0.15um(1250) |
南亞科技 |
|
|
|
0.175um(950) |
|
|
|
|
|
世界先進 |
|
|
0.18um(844) |
|
|
|
|
|
|
資料來源:中興證券研究部。
表十、 DRAM需求/供給比率表
年份 |
Q499 |
Q100 |
Q200 |
Q300 |
Q400 |
Q101 |
Q201 |
D/ S Ratio |
117% |
88% |
109% |
98% |
96% |
91% |
102% |
資料來源:De Dios(Sep. 2000)
四、價格分析
目前在市場需求仍弱,價格持續往下探底,但依據歷史經驗,在供需均衡狀態時,成本區會是有效支撐點,而在供過於求之狀態時,通常會跌破製造成本向變動成本逼近,故在第4季供過於求狀況下,價格有機會將向下繼續測底,故在價格尚未止跌前,投資仍宜保守。
DRAM在容量和製程技術的逐年改進下,平均每年價格跌幅約
30%左右(表十一),在1991-1995年時價格跌幅小於30%,每顆DRAM價格甚呈上漲現象,由於1991-1995年DRAM產業之榮景吸引大量業者投入,造成在1997年60%巨大的價格跌幅,使得無法承受價格壓力的業者出局。1999年64M
PC100平均單價約為9.4美元,2000年1-10月平均單價雖仍為7美元(跌幅-26%),但目前價格已降至4美元以下(圖一),顯示PC需求疲弱,已對DRAM廠造成極大負面效果。
茂德科技發言人林育中指出:「DRAM是商品期貨,價格持續走軟,尚未確定底部出現之前,通路不敢留貨,不過目前正規品現貨價已破底至領導廠商美光科技成本區3.5美元附近,預估應可在此築底測試。」
力晶總經理蔡國智則表示,2001年第一季的景氣詭譎不明,仍需看PC市場的發展決定,但他估計2001年第二季的DRAM價格將呈現反彈,原因在於許多DRAM製造廠都轉至生產其他產品,因此,市場供貨將不足,價格亦將大幅反彈。
由於價格變化幅度大,很難去估計合理價格之區間,依據歷史經驗,在供需均衡狀態時,成本區會是有效支撐點,而在供過於求之狀態時,通常會跌破製造成本,以2000年第一季為例,當時現貨價跌破5美元,以當時0.20um
生產成本仍高於5美元,故當時價格跌破5美元,故研究員評估在明年第一季前需求淡季前,DRAM價格將很可能在成本區盤整,難有大幅揚升之狀況,DRAM可望在第2季末反彈,以今年之狀況DRAM價格在5月底強力回升由6.5美元漲至9美元,相關DRAM族群股價亦在3月提前預期下半年供不應求狀況,故建議投資者可在DRAM價格確定回升前,約2001年第一季末,可逢低佈局。
表十一、 DRAM平均價格變動
|
1991 |
1992 |
1993 |
1994 |
1995 |
1996 |
1997 |
1998 |
1999 |
每MB的 |
35 |
25 |
26 |
20 |
15 |
10 |
4 |
2.5 |
1.6 |
平均單價 |
|
(-28%) |
(-4%) |
(-30%) |
(-25%) |
(-33%) |
(-60%) |
(-37%) |
(-36%) |
主流DRAM |
6.7 |
6.7 |
8.3 |
9 |
12 |
10 |
5.8 |
5 |
6 |
每顆平均單價 |
|
0% |
24% |
8% |
33% |
(-20%) |
(-9.2%) |
(-16%) |
(-20%) |
資料來源:Micron(註:以略值統計,括弧內為年成長率)
五、DRAM產業景氣循環分析
- 供給不穩定,是造成過去10年DRAM景氣波動之主因。
- WSTS預估2000年DRAM產值達324億美元,較1999年成長56%,2001-2003年的成長率依序為29%、10%及9.3%,DRAM產業雖可持續成長,但成長率已漸趨緩。
DRAM產業景氣循環如圖五所示,依過去觀察DRAM廠供給不穩定,是造成過去10年DRAM景氣波動之主因,因為過去10年DRAM位元的需求年度複合成長率達到68%左右,但供給面變動性更大,由於在景氣高峰時,各廠獲利豐厚積極投資擴充新產能,而造成供給過剩,而當景氣下滑卻減少投資,產生供給減少,是形成景氣波動之主因。
由過去之景氣循環情形得知,DRAM景氣復甦之時間長達3年以上,估計本次景氣循環可達4年,依據世界半導體貿易統計組織WSTS公布全球DRAM市場的成長率預測,預估今年DRAM產值可達324億美元,較去年成長56%,2001-2003年的成長率依序為29%、10%及9.3%,至2003年前DRAM產業仍呈現成長狀況,但DRAM產值成長率已漸趨緩。
故預估未來在DRAM需求仍持續增加下,供過於求現況可望改善,未來DRAM景氣可望由谷底略微復甦。
圖五、 DRAM景氣之循環週期

資料來源:Dataquest,WSTS,中興研究部。
肆、台灣DRAM廠分析
- 以產能提升情形分析,南科2001年成長109%最高、力晶48%次之、華邦24%,茂德19%最小。
- 以毛利率、營業利益率分析,仍以茂德最高、力晶後來居上,華邦最為穩定,投資建議仍以華邦、茂德為主。
一、產能分析
- 表十二顯示國內DRAM廠目前產能狀況,就產能增加幅度則依序為南科(YOY+109%)、力晶(48%)、華邦(24%)、茂德(19%),而世界先進已將產能轉移至代工,預估2001年DRAM比重將減少,故不在討論範圍,總計這4家產出可達5.61億顆(表十三),約佔全球15%,若計入世界先進等,市佔率可達17%,已具國際競爭力。
- 由於12吋廠產出可較8吋增加2.5倍,影響產能增加速度重大,以國內廠商進入12吋廠而言,以茂德之速度最快,由於移轉Infineon
12吋廠(1999年量產)之技術及經驗,預計2001年第四季裝機完成,2002年第二季開始量產,可確保茂德在下一世代繼續維持成本之競爭優勢。華邦則規劃在南科興建2座12吋廠,預計在2000年底至2001年初動工,分別於2003年與2005年投片試產,初期月產能皆為2萬片,不過日前華邦表示,是否按照原定時間動工可能有所變化,除得視景氣決定外,還得考量設備商所供應的機器是否已達量產水準,力晶12吋晶圓廠亦於2000年7月動土,南亞科技則因為現增受阻,三廠(12吋)興建計劃將遞延。
表十二、 國內DRAM廠之產能狀況 單位:千片
|
Q100 |
Q200 |
Q300 |
Q400 |
2000全年 |
Q101 |
Q201 |
Q301 |
Q401 |
2001全年 |
YOY |
DRAM YOY |
華邦 |
69 |
75 |
90 |
105 |
339 |
105 |
105 |
105 |
105 |
420 |
24% |
24% |
Fab1 |
32 |
32 |
32 |
32 |
127 |
32 |
32 |
32 |
32 |
127 |
|
|
Fab2 |
79 |
79 |
79 |
79 |
317 |
79 |
79 |
79 |
79 |
317 |
|
|
Fab4 |
45 |
45 |
45 |
45 |
180 |
45 |
45 |
45 |
45 |
180 |
|
|
Fab5 |
24 |
30 |
45 |
60 |
159 |
60 |
60 |
60 |
60 |
240 |
|
|
南科 |
55 |
72 |
82.5 |
110 |
320 |
144 |
163 |
180 |
180 |
667 |
109% |
109% |
Fab1 |
55 |
72 |
73.5 |
80 |
281 |
90 |
90 |
90 |
90 |
360 |
|
|
Fab2 |
0 |
0 |
9 |
30 |
39 |
54 |
73 |
90 |
90 |
307 |
|
|
茂德 |
90 |
99 |
105 |
108 |
402 |
120 |
120 |
120 |
120 |
480 |
19% |
19% |
力晶 |
54 |
66 |
76 |
101 |
297 |
105 |
105 |
105 |
105 |
420 |
41% |
48% |
代工 |
9 |
15 |
14 |
16 |
54 |
15 |
15 |
15 |
15 |
60 |
11% |
|
DRAM |
45 |
51 |
62 |
85 |
243 |
90 |
90 |
90 |
90 |
360 |
|
|
世界 |
90 |
102 |
108 |
120 |
420 |
120 |
122 |
123 |
126 |
491 |
17% |
-9% |
DRAM |
66 |
54 |
54 |
48 |
222 |
48 |
50 |
51 |
54 |
203 |
|
|
Foundry |
24 |
48 |
54 |
72 |
198 |
72 |
72 |
72 |
72 |
288 |
45% |
|
資料來源:中興證券研究部。
表十三、國內DRAM廠之產出狀況
|
華邦 |
茂德 |
力晶 |
南亞科技 |
技術來源 |
東芝 |
西門子 |
三菱 |
IBM |
回銷對象 |
東芝60-70% |
西門子38%;茂矽62% |
三菱40% |
IBM35% |
目前製程 |
0.2/0.175微米 |
0.2/0.17 微米 |
0.25/0.18微米 |
0.2/0.175微米 |
Gross Die(64M) |
530/820 |
588/1028 |
300/844 |
540/930 |
下一代製程 |
0.15微米(2001/Q4) |
0.14微米(2001/Q4) |
0.15微米(2002/Q1) |
0.14微米(2002/Q2) |
Gross Die(64M) |
1150 |
1500 |
1250 |
1500 |
2000年產出數(億顆) |
1.56 |
2.10 |
0.92 |
1.03 |
2001年產出數(億顆) |
2.3 |
2.9 |
2 |
3.1 |
資料來源:中興證券研究部。
二、營收獲利分析
1999年64M
DRAM價格平均為9.4美元,2000年平均價格為7美元,但價格起伏波動性大,使廠商營收表現亦呈波動現象(圖六)。以成長率而言,力晶在0.18um
製程穩定後,第3季單季營收達68億元,年成長率達161%最高、華邦146%居次、南科128%、茂德103%,皆有超過100%以上之成長,表現非常突出。但若參考穩定性及成長性則以華邦最佳,主要是華邦DRAM及非DRAM營收約佔各半,有分散產品風險效果。
毛利方面(圖七),則以茂德為最高60%,主要為茂德為純DRAM代工製造,採穩定合約價計價,可維持最高獲利;力晶在第3季良率穩定後毛利提升為53%,華邦第3季毛利已達5成;但在第4季因為DRAM價格重挫,DRAM廠毛利會往下修正。不過茂德發言人林育中處長指出,茂德科技0.17微米製程,已經通過128MDRAM產品驗證,預估2000年底,80%以上的晶圓產出將為0.17微米製程產品,使得毛利率可望維持
40%的水平,中興證評估茂德因為出貨以晶圓(Wafer)出貨方式,故當DRAM價格重挫時,若良率已達穩定狀況時,毛利仍可維持高水準(30%以上),全年則可達40%以上水準。
華邦因為非DRAM部門佔營收約一半,毛利可在40%以上,平均下來仍可維持在3成左右,力晶則因為0.18製程穩定,故仍可為2成以上毛利,南科處於0.175製程調整期,成本則較高。故DRAM價格下降,不僅營收下降、毛利下滑,營業利益在晶圓廠需維持較高營運成本情況下,營業利益率下滑速度亦將比毛利率下降快(圖八)。
故以過去營收、獲利成長性及穩定性而言,仍以華邦、茂德表現最佳,投資建議以華邦、茂德為主。
圖六、 DRAM廠季營收與季營收成長率%

資料來源:中興證券研究部。
圖七、 國內DRAM廠單季毛利率

資料來源:中興證券研究部。
圖八、 國內DRAM廠單季營業利益率

資料來源:中興證券研究部。
就2001年DRAM價格與廠商獲利之敏感度分析而言,若DRAM平均價格為4美元時,DRAM廠獲利狀況如表十四所示,可以發現目前DRAM廠商,營收雖可出現成長,獲利將出現衰退,但仍不至於虧損;若平均單價價為5美元,則營收獲利將呈同時成長(表十五)。由目前股價修正幅度來看,顯示市場過度低估DRAM廠商之獲利能力。但依目前DRAM市場的競爭狀態,2001年出現超額報酬率機會不太,研究員認為明年64M
合理價格應落在在4-5美元之間。
若2001年以4美元計算,個別公司獲利最高為茂德EPS達2.97元,顯示茂德純為DRAM代工,能在過在及未來DRAM價格變動時,維持高獲利狀況;其次華邦為2.33元。若2001年以5美元計算,則所有DRAM廠將成為獲利良好之公司,EPS估計皆可接近4元,不管是營收、獲利將出現顯著成長,故投資建議:華邦、茂德。
表十四、國內DRAM廠之獲利(4美元)
公司 |
年營收(億元) |
年獲利(億元) |
EPS |
2000/10/31本益比 |
2000 |
2001 |
YOY |
2000 |
2001 |
YOY |
2000 |
2001 |
2000 |
2001 |
華邦 |
490 |
569 |
16% |
120 |
84 |
-30% |
3.33 |
2.33 |
9 |
13 |
力晶 |
190 |
296 |
56% |
45 |
25 |
-45% |
2.37 |
1.31 |
9 |
16 |
茂德 |
220 |
250 |
14% |
90 |
80 |
-11% |
3.33 |
2.97 |
9 |
10 |
南科 |
168 |
451 |
168% |
35 |
15 |
-57% |
1.56 |
0.67 |
16 |
37 |
資料來源:中興證券研究部。
表十五、 國內DRAM廠之獲利(5美元)
公司 |
年營收(億元) |
年獲利(億元) |
EPS |
2000/10/31本益比 |
2000 |
2001 |
YOY |
2000 |
2001 |
YOY |
2000 |
2001 |
2000 |
2001 |
華邦 |
490 |
644 |
31% |
120 |
159 |
32% |
3.33 |
4.41 |
9 |
7 |
力晶 |
190 |
361 |
90% |
45 |
80 |
78% |
2.37 |
4.22 |
9 |
5 |
茂德 |
220 |
302 |
37% |
92 |
104 |
13% |
3.41 |
3.84 |
9 |
8 |
南科 |
168 |
552 |
228% |
35 |
89 |
155% |
1.56 |
3.96 |
16 |
6 |
資料來源:中興證券研究部。
伍、投資建議
- 股價領先景氣,股價已反應對未來DRAM景氣之看法。
- 雖目前價位已回到歷史低價區,但仍宜等1. DRAM價格止跌 2.美光股價止跌回升等訊號出現在進場,故建議在2001年第一季末,做波段區間操作。
DRAM產業景氣波動大,所以操作難度較高,一般觀察之指標為DRAM價格趨勢與美光股價趨勢變化狀況,因為美光是全球DRAM佔有率約2成,由圖九、十可以發現DRAM價格和美光、華邦電股價呈同步變化情形,且股價領先DRAM走勢,顯示股價已反應對DRAM價格未來之預期。
圖十一顯示華邦電與美光在1998年9月至今股價走勢圖,可以發現兩者相關係數高達64.2%,可以作為同步指標,在1998年DRAM景氣由谷底往上升時,基本上是由美光帶動台灣DRAM股價往上走,其實是因為美光為全球DRAM大廠,當DRAM景氣上升時,受惠者是這些產量大之DRAM廠,當去年台灣發生大地震,華邦電由1999年12月上漲後至今年6月中見最高點,美光股價7月中見最高點,當確定整體景氣往上時,反而是國內華邦電領先美光股價反應;而當景氣出現疑慮訊號時,則華邦電與美光股價同步下滑。
圖十二則顯示,華邦電與力晶股價反應呈現同步現象,表示華邦與力晶為國內DRAM股基本上之預期反應是相同的。
所以推論,DRAM股價投資時機為1. DRAM價格止跌
2.美光股價止跌回升等訊號出現在進場。目前國內DRAM之股價已回到相對低點(表十六),但投資者仍須確定DRAM價格已止跌回升較為安全,故中興證券建議,由於預估明年第一季末供需漸趨平衡,價格可望止跌回升,屆時可留意DRAM個股買點作為中波段區間操作。
圖九、 DRAM價格與美光股價圖

資料來源:Bloomberg
圖十、 DRAM價格與華邦股價圖

資料來源:中興證券研究部。
圖十一、華邦電與美光股價走勢圖

資料來源:中興證券研究部。
圖十二、華邦電與力晶股價走勢圖

資料來源:中興證券研究部。
表十六、DRAM廠本益比
公司 |
1999 EPS |
2000 EPS |
2001 EPS |
99年最高PE |
99年最低PE |
00年最高PE |
00年最低PE |
10/31日PE |
華邦 |
1.43 |
3.33 |
2.33 |
54 |
22 |
32 |
8 |
9 |
力晶 |
0.35 |
2.37 |
1.31 |
166 |
49 |
34 |
8 |
9 |
茂德 |
2.88 |
3.33 |
2.97 |
33 |
9 |
45 |
9 |
9 |
南科 |
0.56 |
1.56 |
0.67 |
- |
- |
50 |
16 |
16 |
資料來源:中興證券研究部。