不是台積的錯？外媒：驍龍810過熱、高通是禍首

MoneyDJ新聞 2015-04-28 11:04:42 記者 陳苓 報導

高通(Qualcomm)驍龍(Snapdragon)810處理器頻傳過熱，外界先前認為是台積電(2330)製程有問題，不過如今媒體批評風向轉向高通，稱可能該公司急就章才導致晶片出包。

phoneArena 27日報導，部分人士之前怪罪台積電的20奈米製程問題，使得Snapdragon 810容易過熱。不過台積電從28奈米改成20奈米，三星也從20奈米改成14奈米，兩者都使得晶片密度提高，三星晶片卻沒出問題，顯示或許不是製程微縮惹禍。

另外，高通客製的Kyro核心開發過慢，趕不上用於Snapdragon 810，只能先採權宜之計使用ARM核心，或許因此引發過熱。不僅如此，外傳Snapdragon 810的Adreno GPU由高通自行設計，和ARM核心不夠相容，也使得晶片一遇壓力，就容易過熱。

phoneArena稱，高通是否擺脫了Snapdragon 810過熱爭端，或許可從29日的LG G4發布會見端倪，要是G4一如真的降級改用Snapdragon 808，可能會讓高通再次受創。

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