MoneyDJ新聞 2018-11-01 13:53:58 記者 蔡承啟 報導
半導體(晶片)設備巨擘東京威力科創(TEL、Tokyo Electron Limited)10月31日於日股盤後發布新聞稿宣布，因半導體廠商調整設備投資計畫，因此今年度(2018年4月-2019年3月)合併營收目標自原先預估的1.4兆日圓下修至1.28兆日圓(將年增13.2%)、合併營益目標自3,660億日圓下修至3,090億日圓(將年增9.9%)、合併純益目標也自原先預估的2,700億日圓下修至2,370億日圓(將年增16.0%)。
東京威力科創並將今年度半導體製造設備銷售額目標自原先預估的1兆2,880億日圓下修至1兆1,698億日圓、將年增10.9%
路透社指出，分析師平均預估東京威力科創今年度營益將為3,418億日圓。東京威力科創公布的營益修正值遜於市場預期。
東京威力科創同時公布今年度上半年(2018年4-9月)財報：因半導體廠商持續對DRAM、3D架構NAND Flash、邏輯半導體進行設備投資，提振半導體製造設備銷售強勁，帶動合併營收較去年同期大增33.7%至6,910億日圓、合併營益暴增42.2%至1,754億日圓、合併純益暴增49.2%至1,352億日圓，半年度別營收、營益、純益皆創下歷史新高紀錄。
4-9月期間東京威力科創半導體製造設備銷售額較去年同期大增30.9%至6,384億日圓、FPD(平面顯示器)製造設備銷售額暴增80.8%至524億日圓。
根據嘉實XQ全球贏家系統報價，截至台北時間1日13點20分為止，東京威力科創暴跌5.42%至14,835日圓；今年迄今東京威力科創股價慘跌約27%、表現遠遜於日經225指數的下跌約5%。
日經新聞10月31日報導，全球第2大NAND Flash廠商東芝記憶體(TMC)和其合作夥伴美國Western Digital(WD)計畫將雙方共同營運的四日市工廠部分製造設備導入時間進行延後。報導指出，四日市工廠內的「第6廠房(Fab 6)」已完成廠房的興建，不過原先預計在2018年內搬入的設備將延後數個月時間、於2019年春天才會進行搬入，主因智慧手機出貨量低迷、導致記憶體價格下滑，因此將放緩增產速度。
日經新聞10月5日報導指出，韓國投資證券表示，南韓三星電子2018年半導體設備投資額約27兆韓圜、持平於2017年水準，不過2019年預估將較2018年減少約8%。韓國投資證券預估，三星2019年對NAND型快閃記憶體(Flash Memory)的投資雖將若干增加、不過對DRAM預估會減少2成以上。
SK證券指出，「三星2019年的半導體策略是DRAM重視價格、NAND Flash重視市佔率」。三星為了避免獲利率高的DRAM陷入極端供應過剩局面，將藉由抑制投資、藉此舒緩2019年DRAM價格的下跌速度。
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