MoneyDJ新聞 2024-05-24 11:16:10 記者 郭妍希 報導
市場傳出，三星電子(Samsung Electronics)最新高頻寬記憶體(HBM)晶片，由於過熱及功耗問題，尚未通過輝達(Nvidia Corp.)檢驗。
路透社24日獨家引述未具名消息人士報導，上述問題會影響三星第四代HBM晶片「HBM3」，以及三星和對手預定今(2024)年上市的第五代「HBM3E」。這是首度有媒體報導三星未獲得輝達認證的理由。
三星透過聲明表示，HBM是一種客製化的記憶體產品，需按客戶需求將製程最佳化，而公司正在跟客戶密切合作、把產品改良到最好。三星不願對特定客戶作出評論。輝達也不願發表意見。
據消息，三星去(2023)年起就一直嘗試要通過輝達的HBM3、HBM3E測試，但4月出爐的結果顯示，三星8層與12層堆疊的HBM3E並未通過檢驗。
目前不清楚這些問題能否輕鬆解決，但三名消息人士透露，無法達成輝達要求，讓業界及投資人益發擔憂，三星在HBM領域恐怕會更加落後對手SK海力士(SK Hynix)及美光(Micron Technology)。據消息，輝達、超微(AMD)等GPU大廠都很希望三星HBM能臻於完善，以藉此削弱SK海力士的定價能力。
值得注意的是，SK海力士高層Kwon Jae-soon曾在英國金融時報5月21日發布的報導中指出，旗下HBM3E的良率快要達到80%目標，而投產所需要的時間也縮短50%。
Kwon強調，公司今年目標是生產8層堆疊的HBM3E，因為這是客戶最需要的；為了在AI時代保持領先，提升良率變得愈來愈重要。
SK海力士直到明年為止的HBM產能幾乎已被訂購一空。該公司明年計畫跟台積電(2330)合作，量產更加先進的HBM4晶片。
(圖片來源：三星電子)
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