力積電記憶體貢獻回升；3D晶圓堆疊估明年H2量產
MoneyDJ新聞 2025-11-05 10:40:23 數位內容中心 發佈 力積電（6770）日前召開法說會並公布2025年第三季財報，單季淨損較上季縮小主要受跌價損失回沖與匯損減少所致，不過單季仍呈現虧損且為連續第9季虧損，前三季亦呈現虧損。
在產品組合方面，力積電在記憶體產品出貨增加，第三季記憶體占比提升，DRAM與NAND營收貢獻明顯增溫。高頻寬記憶體（HBM）需求持續，由於大廠將產能優先轉往HBM等高價值產品，利基型DRAM出現供給緊縮，帶動價格上揚；此外，SLC NAND因韓系大廠減產，市場價格自第三季回升；NOR Flash則因AIoT需求增加，近期報價亦有上揚。
對於產能與利用率，力積電第三季整體稼動率約78%，12吋與8吋與不同產品線產能分布明顯，記憶體代工月產能約5萬片（12吋），邏輯代工及其他製程之產能利用情況與訂單能見度仍呈現分化。力積電作為代工廠，產品售價上漲會有遞延效應，預計11月起可逐步反映記憶體報價上升對代工費的影響。
在法說會上，力積電說明在先進封裝與技術布局上的進度，包括3D晶圓堆疊（Wafer-on-Wafer, WoW）已進入概念驗證階段，預計2026年下半年可望量產；以矽中介層（Interposer）為核心的2.5D封裝良率已達量產水準，將擴大投片。公司也指出48奈米NOR Flash驗證有進展，預期年底開始放量，並強調電源管理IC與功率元件仍為邏輯代工的重要產品線。
在資本支出與費用面，力積電將今年資本支出由4.54億美元調降至3.41億美元，主要因部分投資時程順延至明年。
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