鴻海研究院辦NExT Forum 聚焦化合物半導體應用
MoneyDJ新聞 2025-09-10 09:39:39 新聞中心 發佈  鴻海(2317)宣布，旗下鴻海研究院與SEMICON Taiwan合辦「功率暨光電半導體論壇/NExT Forum 2025」。論壇中深入探討化合物半導體如何突破功率轉換瓶頸，實現更高能源效率，並透過光電技術支持高速資料傳輸，驅動AI產業升級。鴻海S事業群總經理陳偉銘指出，化合物半導體正快速成長，市場規模估在2030年達到300億美元。他強調，碳化矽在電動車效率與快速充電上已發揮關鍵作用，氮化鎵則在5G高頻領域具備優勢，同時兩者也是AI伺服器與高效能運算的核心基礎，隨著材料與製程技術的突破，化合物半導體將帶來革命性改變。
鴻海研究院半導體研究所於論壇中揭示與國立陽明交通大學(NYCU)、美國伊利諾大學香檳分校(UIUC)最新的共同研究成果。該團隊於第四代半導體β-氧化鎵(β-Ga₂O₃)研發中引入(AlₓGa₁₋ₓ)₂O₃間隔層設計，利用能帶工程形成二維電子氣(2DEG)，大幅提升元件導通能力與耐壓特性。此技術突破將為未來高功率應用及AI伺服器電源架構帶來全新解決方案。
鴻海研究院半導體研究所所長郭浩中表示，隨著AI伺服器對能源效率需求不斷攀升，功率半導體的技術突破成為核心關鍵。我們很榮幸能與NYCU、UIUC攜手推動第四代半導體研究，未來將持續深耕材料與製程創新，協助AI產業實現高效能、低能耗的發展藍圖。
論壇期間，鴻海研究院也分享了在碳化矽、氮化鎵與氧化鎵(Ga₂O₃)等化合物半導體的最新研發成果，並與業界巨頭共同探討AI伺服器、電動車與新世代通訊的應用挑戰與未來機遇。
(圖片來源：鴻海研究院)
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