SK海力士在美國生產基地動土，預計2029年下半年量產下一代HBM晶片
SK海力士在美國印第安納州舉行HBM生產基地動土典禮，預計2029年下半年量產下一代HBM晶片
根據SK海力士發布聲明，其位於美國印第安納州西拉法葉普度研究園區（Purdue Research Park）的先進AI記憶體封裝生產設施於當地時間8月27日舉行動土典禮。
印州晶圓廠預計總投資超過40億美元，計劃於2028年10月啟用其無塵室，並於2029年下半年開始大規模生產下一代HBM。正式商業運轉後，預計將有約1,000名員工，逐步發展為美國重要HBM生產中心。
此座晶圓廠為SK海力士首座位於美國的HBM生產基地，並將與韓國既有生產體系緊密整合。SK海力士將把在韓國生產的先進晶圓運往印州，於當地進行先進封裝與測試，最終以「Made in USA」產品形式供應美國客戶。
基地旁另將設置「先進封裝研發測試平台（Advanced Packaging R&D Testbed）」，使客戶、大學及企業夥伴能共同開發下一代封裝技術，並快速進行原型製作與效能驗證。
前述聲明並指出，SK海力士在印州的投資預期將帶動美國半導體生態系發展，並進一步深化韓美雙邊經濟合作。目前已有超過100家企業被列入印州廠之材料、零組件及設備供應商候選名單，協助確保印州廠穩定運作，同時強化美國AI產業生態系。SK海力士也預計在先進封裝廠的建設及後續商業營運期間，與當地及全美企業共同創造約7,000個直接與間接就業機會。
在動土典禮上，SK海力士與普度大學簽署MOU，展開先進封裝領域的研發合作。雙方將共同研究包括HBM、系統整合及先進封裝技術，並加強研發合作。同時，SK海力士計劃擴大在美國中西部的人才培育與招募，吸引世界級半導體人才。(資料來源：經濟部國際貿易署)
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