英特爾推進4年5節點，完成首台High-NA EUV組裝

MoneyDJ新聞 2024-04-19 08:39:29 記者 鄭盈芷 報導

英特爾Intel 宣布完成了業界首台高數值孔徑極紫外光曝光機（High-NA EUV）組裝，該設備安裝於奧勒岡州研發基地，目前正在進行校準工作，規劃於Intel 14A製程導入High-NA EUV，推進「4年5節點（5N4Y）」的後續製程藍圖。

High-NA EUV相較於現行EUV可印刷尺寸縮小1.7倍，將可實現2D微縮，使電晶體密度提高2.9倍。相較於0.33NA EUV，High-NA EUV(或稱0.55NA EUV)帶來更好的精準度及更高解析度的圖像化能力，減少每次曝光的光量，從而減少列印每層所需的時間並增加晶圓產量。

英特爾預計於明年Intel 18A的產品驗證以及Intel 14A量產中，使用0.33NA EUV和0.55NA EUV以及其他微影製程，而英特爾也預計購置High-NA EUV的下一代系統，該系統每小時產能超過200片晶圓。

根據MoneyDJ先前報導，台積電(2330)自7+奈米開始導入EUV設備，分析師預期，相較於英特爾率先取得High-NA EUV，並預計導入Intel 18A後的節點，台積電應會採取較為謹慎的策略，或在A14製程之後才會導入。