原子層沉積設備

原子層沉積設備(Atomic Layer Deposition, ALD)

是一種精密的薄膜沉積技術，主要應用於半導體製造過程中。這項技術的核心在於其能夠以原子層級的精度控制材料的沉積，從而實現極為均勻且精確的薄膜厚度。ALD 技術的基本原理是通過交替引入不同的前驅物氣體，這些氣體在基材表面發生化學反應，形成單層原子膜。這一過程通常在低壓和相對較低的溫度下進行，並且每次反應僅沉積一層原子，這使得 ALD 能夠在複雜的三維結構上形成均勻的薄膜。

 

原子層沉積設備的應用範圍廣泛，尤其在半導體製造中具有重要地位。隨著半導體元件尺寸的不斷縮小，傳統的薄膜沉積技術難以滿足對精度和均勻性的要求，而 ALD 則能夠提供更高的控制精度和更好的覆蓋性。這使得 ALD 成為製造高介電常數材料、金屬閘極、以及其他需要精密控制的薄膜材料的理想選擇。此外，ALD 還被應用於太陽能電池、顯示器、以及防腐蝕塗層等領域。

 

在判讀 ALD 設備的性能時，通常會考慮其沉積速率、均勻性、以及對不同材料的適應性。沉積速率是指每次反應循環中沉積的原子層厚度，通常以每循環幾埃(A)來表示。均勻性則涉及薄膜在大面積基材上的一致性，這對於大規模生產至關重要。不同材料的適應性則關係到設備能否有效地沉積多種材料，這對於多層結構的製造尤為重要。

 

知名ALD設備製造商包括：ASM International(荷蘭)、Beneq( 芬蘭)、Picosun(by Applied Materials)(芬蘭)、Oxford Instruments(英國)、創為精密(台灣)、中微公司(陸)、北方華創(陸)。