MoneyDJ新聞 2017-08-03 13:55:54 記者 蔡承啟 報導
東芝(Toshiba)因出售半導體事業子公司「東芝記憶體(Toshiba Memory Corporation、以下簡稱TMC)」一事和合作夥伴、共同營運NAND型快閃記憶體(Flash Memory)主要據點「四日市工廠」的Western Digital(WD)鬧翻。而東芝於3日宣布，因和WD子公司SanDisk協商破裂，因此決定單獨進行3D架構的NAND Flash增產投資。
東芝3日發布新聞稿宣布，關於目前已在四日市工廠廠區內興建的3D NAND專用廠房「第6廠房」投資案，因和SanDisk未能獲得共識、協商破裂，故所需的設備投資金額將由TMC單獨負擔，且為了因應記憶體需求擴大，故投資金額將從原先規劃的1,800億日圓加碼至約1,950億日圓。東芝指出，計畫在2018年度將3D架構產品的產量比重提高至約90%。
日經新聞報導，東芝和WD目前於日美合計有5件訴訟在跑，而東芝有意和WD持續進行協商，加上WD也正力求要確保NAND Flash產能，因此東芝上述決定「單獨投資」的舉動，預估是想藉此逼迫WD讓步。
根據嘉實XQ全球贏家系統報價，截至台北時間3日13點10分為止，東芝重挫2.3%至255.0日圓。
東芝於6月28日宣布，為了因應來自伺服器、數據中心的3D NAND需求擴大，TMC將在2017年度內(截至2018年3月底為止的會計年度)砸下1,800億日圓(金額如上所述已加碼至1,950億日圓)進行增產投資，該筆資金除將用於導入「第6廠房」第1期工程所需的生產設備之外，也將用於第2期工程的廠房興建。
「第6廠房」第1期工程預計於2018年夏天完工，第2期工程廠房預計於2017年9月動工、2018年年末完工。關於具體的產能、生產計劃，將於今後視市場動向決定。
東芝6月28日宣布，已攜手SanDisk研發出全球首款採用堆疊96層製程技術的3D NAND Flash產品，且已完成試作、確認基本動作。該款堆疊96層的3D NAND試作品為256Gb(32GB)、採用3bit/cell(TLC：Triple Level Cel)技術的產品，預計於2017年下半送樣、2018年開始進行量產，主要用來搶攻數據中心用SSD、PC用SSD以及智慧型手機、平板電腦和記憶卡等市場。
上述堆疊96層的3D NAND將利用東芝四日市工廠「第5廠房」、「新第2廠房」以及預計2018年夏天完成第1期工程的「第6廠房」進行生產。
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