MoneyDJ新聞 2017-05-03 09:38:03 記者 陳苓 報導
三星電子的南韓華城廠(Hwaseong)，即將擴產的傳聞延燒許久。最新消息顯示，三星決定投資3兆韓圜(約26.4億美元)提升DRAM產能。不過由於未來11線不再生產DRAM，產能一增一減之下，應該不至於衝擊DRAM供給。
韓媒etnews 2日報導，業界消息指出，三星半導體業務部門將擴充華城廠17線的DRAM產能，生產10奈米等級的DRAM。三星已告知設備廠擴產計畫，並在三月份向部分業者下單，估計投資金額約為2.5兆~3兆韓圜，完工後每月增產3.5萬片300公厘的矽晶圓，預定今年下半初步生產。
三星華城廠為綜合晶圓廠，17線生產DRAM、11線生產影像感測器和DRAM、16-2線生產3D NAND flash、S3線生產10奈米系統半導體。
如今11線將轉為全數生產影像感測器CMOS和CIS，不再生產DRAM。三星為了彌補產能損失，決定擴大17線的DRAM產能。相關人士表示，此一投資是為了彌補11線產能縮減和製程微縮損失，對DRAM供需幾乎沒有影響。
華城廠投資全數落實後，廠內不再有多餘空間，三星計畫在17線旁的停車場，另蓋新廠，考慮用於生產7奈米的系統半導體。
在此之前，韓媒不斷猜測華城廠擴產的目的。
韓國先驅報三月份報導，半導體界透露，三星正在評估年度投資計畫，有意在南韓華城(Hwaseong)的17號廠內部增加產線，並在17號廠旁邊另蓋新工廠。外界對於新產能用途看法不一，有人認為三星會增產DRAM、也有人說要生產系統半導體。
三星發言人表示，目前為時過早，無法確認投資計畫和新產線用途，詳細內容敲定後，會在三月底或四月初宣布。
各方看法不一，可能由於華城廠產線多元，17號廠興建之初只生產系統晶片，但是三星兩度擴建17號廠，增加了DRAM和3D NAND產線，這次擴產目的難以判斷。有人猜測，17廠內部的新增產線可能用於生產10奈米系統晶片、新工廠則生產7奈米系統晶片。
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