MoneyDJ新聞 2025-11-04 11:53:55 新聞中心 發佈
暉盛-創(7730)今(4)日以每股72元登創新板交易，早盤股價最高來到97元，漲幅達34.72%，展現蜜月行情。
隨摩爾定律漸近極限，半導體大廠紛紛押注2.5D/3D IC、扇出型晶圓級(FOWLP)、面板級封裝(FOPLP)與Chiplet架構，帶動對乾式清洗、去膠與蝕刻設備的龐大需求。根據市調機構Yole Group報告顯示，由於AI、HPC、資料中心、感測器和行動裝置等領域需求提升，2.5D/3D封裝技術(Hybrid Bonding之應用)的市場規模預計從2023年的102億美元增至2029年的276億美元。此外，Hybrid Bonding市場規模則從2023年的121億美元，預計到2031年達到233億美元。
暉盛表示，公司主要鎖定Hybrid Bonding、PLP及WLP等關鍵技術，目前已開發適用於Hybrid Bonding與FOPLP的電漿乾式製程設備，成功切入先進封裝設備供應鏈。
而隨著高階運算需求推升，ABF載板持續朝大面積、多層數、細線路發展。暉盛率先推出可處理850×750mm大面積規格的乾式蝕刻技術，領先業界既有700×700mm標準，並能精確控制表面粗糙度，取代傳統濕式製程，符合低碳與ESG趨勢。
暉盛董事長宋俊毅表示，玻璃基板因具備高穩定度與耐高溫特性，能減少圖案變形50%，成為資料中心與AI GPU封裝的潛力材料。暉盛-創積極開發玻璃蝕刻與表面處理能力，並投入TGV（Through Glass Via）穿孔清潔，卡位未來Glass Core應用市場，搶占先進封裝新藍海。另外，化合物半導體SiC與GaN具備高耐壓與高效率特性，應用於電動車、儲能、5G通訊及綠電設備，市場潛力龐大。暉盛已完成SiC電漿蝕刻與GaN表面處理設備的開發，並推進相關模組導入，積極搶攻功率元件應用市場。
在晶圓再生領域，暉盛則開發乾式去膜技術，以ICP RIE蝕刻方式去除Nitride、Poly-Si、SiC、SiO₂與Low/High K薄膜，取代傳統濕式清洗。此技術不僅可降低化學藥品與純水使用，減少廢水處理成本，更能將晶圓去膜率由60%提升至100%，大幅改善良率。暉盛指出，目前已成功取得國內大廠採用，呼應客戶降低成本與實現ESG永續發展的雙重需求。隨著先進製程控片需求增加，晶圓再生市場規模可望進一步擴大，暉盛-創具備明顯先發優勢。
法人指出，暉盛透過在先進封裝、ABF與玻璃基板、第三代半導體、晶圓再生與智慧製造等多面向的深耕，不僅強化了在半導體設備市場的競爭力，也緊扣AI、HPC、EV與綠能發展趨勢，後續營運動能看旺。
