MoneyDJ新聞 2017-04-28 08:53:11 記者 陳苓 報導
次世代記憶體大戰開打，英特爾研發「3D cross point」技術，擬推「PRAM」。三星電子不甘示弱，發布「MRAM」(magnetoresistant random access memory、磁阻式隨機存取記憶體)，號稱讀寫速度比NAND flash快上一千倍。
fudzilla、IBTimes、韓國經濟日報報導，三星24日發表「MRAM」，此種次世代記憶體兼具NAND flash和DRAM的優點，無須電源也能儲存資料，而且處理速度極快。三星宣稱，MRAM是非揮發性記憶體，採用自旋傳輸科技(Spin-torque transfer)讀寫數據，速度比NAND快了一千倍。不僅如此，MRAM更省電，使用時(active)耗電量比傳統記憶體少，停用時(inactive)更無須用電。
目前次世代記憶體包括MRAM、PRAM、ReRAM，其中MRAM速度最快，但是量產難度較高。現在三星只能少量生產，但是預期能盡速克服生產障礙。
三星同時宣布，歐洲大廠恩智浦半導體(NXP Semiconductors)的物聯網半導體將採用MRAM，雙方簽訂晶圓代工協定，將量產28奈米的全耗盡型絕緣層上矽(FD-SOI)。
IBTimes猜測，倘若三星MRAM量產進展順利，或許今年下半問世的Galaxy Note 8就會內建MRAM，以便做出市場區隔。MRAM用於智慧機可加快處理速度、並更為省電。
DRAM發展快到盡頭，磁性記憶體(MRAM)和相變記憶體(PRAM)是最有潛力的接班人？IBM和三星電子去年宣稱，「自旋傳輸磁性記憶體(STT-MRAM)」的研究出現突破，有望加速走上商用之途。
韓媒BusinessKorea 2016年7月11日報導，IBM和三星在電機電子工程師學會(IEEE) 發布研究論文宣稱，兩家公司攜手研發的STT-MRAM的生產技術，成功實現10奈秒(nanosecond)的傳輸速度和超省電架構，理論上表現超越DRAM。
STT-MRAM藉著改變薄膜內的電子旋轉方向、控制電流，表現效能和價格競爭力都優於DRAM。最重要的是，DRAM很難微縮至10奈米以下，STT-MRAM則沒有此一困擾。業界人士表示，STT-MRAM是次世代記憶體中最實際的替代方案，95%的現行DRAM生產設備皆可用於製造STT-MRAM。IBM和三星之外，SK海力士(SK Hynix)和東芝(Toshiba)也協力研發此一技術。
除了STT-MRAM，近來相變記憶體(PRAM)也備受矚目，英特爾的3D Xpoint就包含PRAM技術。PRMA結合DRAM和NAND Flash優點，速度和耐用性提高1千倍，不過目前仍在理論階段。
2015年7月29日英特爾、美光宣布開發出新世代記憶體技術「3D Xpoint」，儲存的資料比DRAM高出十倍，讀寫速度與耐受度更是NAND型快閃記憶體的1千倍之多，如此革新的技術讓三星電子、SK Hynix大為緊張。3D XPoint類似次世代ReRAM或PRAM科技，能完全改變資料儲存的方式，半導體專家相信，自從東芝在1987年首次展示NAND型快閃記憶體之後，3D XPoint會是這30年間一個相當重要的變革。
＊編者按：本文僅供參考之用，並不構成要約、招攬或邀請、誘使、任何不論種類或形式之申述或訂立任何建議及推薦，讀者務請運用個人獨立思考能力，自行作出投資決定，如因相關建議招致損失，概與《精實財經媒體》、編者及作者無涉。
