MoneyDJ新聞 2025-08-21 12:24:29 郭妍希 發佈
韓媒傳出，三星電子(Samsung Electronics)的第六代高頻寬記憶體「HBM4」樣本已獲得輝達(Nvidia Corp.)驗證通過，預計8月底便可進入最終的預生產(pre-production, PP)階段，若測試順利，則最快今(2025)年底便能開始量產。
BusinessKorea、Wccftech 21日引述首爾經濟日報報導，一名業界人士透露，據了解三星HBM4的各種品質項目(包括良率等)皆獲得正面評價，目前已進入預生產階段。「若預生產測試也通過，估計11月或12月就可量產。」
預生產是半導體量產前的最後驗證程序。三星7月提供的HBM4原型是一款「工程樣本」，而預生產程序會測試樣本跟客戶繪圖處理器(GPU)的相容性，看看在特定溫度環境下，品質能否達到高標。一旦通過這個階段，便可轉入量產期。
HBM4將應用於輝達次世代AI加速器「Rubin」。目前是輝達獨家HBM供應商的SK海力士(SK hynix)早在3月就將HBM4樣本送交輝達、並於6月初初步生產，預定10月開始量產。若三星通過預生產階段，則11月便能量產、迅速拉近與SK海力士的距離。
市場也有消息傳出，三星的12層堆疊HBM3E將在8月底前通過輝達品質測試並開始交貨。業界認為，輝達、SK海力士近來談判HBM產量與報價時陷入拉鋸，暗示三星可能即將交貨。
若三星成功打入輝達的HBM3E及HBM4供應鏈，明(2026)年的AI記憶體版圖勢必會出現重大變化。今年上半，三星的HBM市占率從去年同期的41%驟減至17%，而SK海力士卻從55%增至62%，美光(Micron)也從4%拉升至21%。金融業界相信，三星明年的HBM銷售成長率有望拉升一倍以上。
(圖片來源：shutterstock)
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