MoneyDJ新聞 2018-01-09 12:18:53 記者 陳苓 報導
英特爾(Intel)和美光(Micron)合作研發NAND flash多年，8日宣布準備拆夥，將在完成第三代3D NAND研發之後，正式分道揚鑣。
Anandtech、巴倫(Barronˋs)報導，英特爾和美光12年前成立合資公司IM Flash Technologies，發展NAND。英特爾資助研發成本，並可分享NAND銷售收益。不過兩家公司NAND策略迥異，英特爾的NAND幾乎全用於企業市場的固態硬碟(SSD)。美光除了販售SSD、也供應NAND flash晶片。
目前兩家公司的3D NAND製程，進入第二代，可堆疊64層，正在研發第三代，預料可堆疊96層，預計在2018年底、2019年初問世。此一製程之後，英特爾和美光將各走各的路。
Anandtech猜測，也許是NAND堆疊層數破百之後，需要調整String Stacking的堆疊方式，兩家公司對此看法不同，因而分手。另一個可能是，目前3D NAND的生產主流是電荷儲存式(Charge trap) ，三星電子等都採用此一方式，英特爾/美光是唯一採用浮閘(floating gate)架構的業者。也許是兩家公司中有一家想改採電荷儲存式架構，但是此舉等於坦承失敗，代表從2D NAND轉換成3D NAND後，續用浮閘是錯誤決定，因而鬧翻。
值得注意的是，兩家公司仍會繼續共同研發3D XPoint記憶體，此一技術被譽為打破摩爾定律的革命技術。
英特爾、美光(Micron Technology)開發出新世代記憶體晶片「3D Xpoint」，分析師相當看好此一新科技，有人稱這是革命性技術，可打破摩爾定律的束縛，顯示美光和英特爾的研發能力不遜於韓廠。
巴倫(Barronˋs)2015年報導，瑞信的John Pitzer為美光大多頭，他高度讚賞3D Xpoint，認為未來3~5年商機為每年90~120億美元，美光/英特爾或許能拿下50%市佔。他估計伺服器DRAM市場將從當前的80億美元，成長到130~170億美元，企業/數據中心NAND也會從當前的60億美元，成長到90~100億美元；新技術可分別吃下兩大市場的30%市值。
MKM Partners的Ian Ing則稱，過去50年來，記憶體設計都以電晶體為基礎，3D Xpoint或許會打破限制。
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