美光躍上2年半高！DRAM、NAND吃緊 Q3料漲價1-4%

MoneyDJ新聞 2017-06-08 09:16:04 記者 郭妍希 報導

DRAM、NAND型快閃記憶體傳出供給吃緊的現象，而美光(Micron Technology, Inc.)股價也一路登高。

barron`s.com報導(見此)，R.W. Baird分析師Tristan Gerra發表研究報告指出，根據他在亞洲的調查，DRAM供給正在逐漸吃緊，DRAM、NAND型快閃記憶體的訂價則有望在Q3出現1-4%的成長率。

報告稱，DRAM供給吃緊、報價也會在Q2和Q3呈現季增；其中PC內建的DRAM容量預料會在今(2017)年增加10%、伺服器則會增加25%。另外，64層3D NAND型快閃記憶體擴產速度低於預期，下半年應該會讓市況持續出現短缺。

美光7日勁揚2.95%、收32.5美元，創2015年1月9日以來收盤新高，漲幅居費城半導體指數30支成分股之冠。

東芝(Toshiba Corp.)決定出售半導體事業，但競標者眾、過程冗長，可能讓NAND型快閃記憶體繼續短缺。韓聯社5月24日報導，Shinhan Investment研究員Choi Do-yeon發表研究報告指出，東芝的3-D NAND快閃記憶體投資計畫勢必將因此延後，這會讓供給短缺更形惡化，也為三星電子(Samsung Electronics Co.)、SK海力士(SK hynix Inc.)製造更多擴產良機。

另一方面，三星電子率先量產18奈米DRAM，把同業拋在腦後。競爭對手美光(Micron)和SK海力士(SK Hynix)則不甘示弱，紛紛砸錢要追上三星。

Nikkei Asian Review、BusinessKorea報導，三星是DRAM龍頭，製程領先對手1~2年，2016年下半首先量產18奈米DRAM，計畫今年下半推進至15奈米。IHS Markit估計，今年底為止，三星打算把18奈米DRAM的生產比重，提高至30%。業界人士說，三星會以利潤優先，不會擴產搶市，打亂價格。

三星一馬當先，DRAM第三大廠美光拼命追趕，計畫未來兩三年砸下20億美元，研發13奈米DRAM製程。美光在日本廣島廠增設無塵室設備，並購買了多項高價生產儀器。進入13奈米製程之後，同一片晶圓能分割成更多晶片，生產力將提高20%。美光已於今年第一季量產18奈米DRAM。

與此同時，SK海力士也準備在今年下半量產電腦用的18奈米DRAM，接著再投入行動裝置用的18奈米DRAM。SK海力士會優先提高21奈米製程良率，之後轉進20奈米、再轉向18奈米。SK海力士人員透露，該公司正在研發1y DRAM製程，但是還不確定量產時間。

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