MoneyDJ新聞 2021-08-18 13:45:01 記者 陳苓 報導
第三代半導體氮化鎵(Gallium nitride、簡稱GaN)商機即將爆發？GaN功率晶片商Navitas Semiconductor預測，5年後手機充電器將捨棄傳統矽晶片，轉向擁抱GaN半導體。
Barron`s報導，Navitas宣稱，他們生產的GaN功率半導體，速度是傳統矽晶片的20倍、並能傳送3倍的電壓，而且尺寸和重量只有矽晶片的一半。Navitas正與特殊目的收購公司Live Oak Acquisition Corp. II合併，預定9月底完成相關程序，在美國那斯達克交易所以「NVTS」的代號掛牌。
6月底的投資人會議上，Navitas執行長Gene Sheridan展示使用GaN晶片製成的手機充電器，體積是一般充電器的一半，半小時內就能充飽50%電力。Sheridan說，次世代的GaN充電器，目標8分鐘充飽50%電力。
GaN充電器功能雖然強大，售價也比矽晶片充電器貴上20%。Sheridan預測，兩年內GaN充電器的成本將與矽充電器打平，3年後GaN充電器會比矽充電器更便宜。他預言，再過5年以上時間，整個市場就會轉向GaN。
Navitas認為，GaN擁有龐大的市場潛能，2020年矽功率半導體的市場規模為90億美元、估計2026年增至130億美元。GaN市場有望每年成長兩倍，2026年市值達到20億美元，佔整體功率晶片市場的16%。此外，Navitas也生產車載充電器(onboard charger)，速度是一般電動車充電器的3倍，相關技術並能協助太陽能面板更為普及。
取代矽的半導體！日挺氮化鎵 料10年內問世
韓媒etnews去年報導，數十年來，矽一直是半導體科技的基石，但是許多專家認為矽的發展來到極限，氮化鎵(gallium trioxide、簡稱GaN)有望取而代之。日本政府砸錢相挺，相信以GaN為基礎的半導體，將在2020年代後期上市。
自駕車和電動車蓬勃發展，能在極端環境下控制電流的功率半導體備受矚目。GaN和碳化矽 (silicon carbide、簡稱SiC)是少數符合此種條件的半導體材料。其中以GaN為基礎的功率半導體最受注意，被視為「次世代的功率半導體」。
有鑑於此，日本經產省準備資助日企和大學，發展耗電量更低的次世代半導體，預計2021年將撥款2,030萬美元，未來五年共計斥資8,560萬美元。日方補助鎖定研發GaN材料的企業，GaN半導體能降低耗電。
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