壹、全球記憶體產業逐年成長
根據WSTS預測報告，2007年全球記憶體市場成長率為10.9%，優於全球半導體市場成長率(2.1%)，主要是因為記憶體廠於2006年及2007年大幅擴產，出貨量大增，因此全球記憶體產值佔全球半導體市場比重由2006年的25.7%上升2.3%，達到28%。
展望2008年，由於全球記憶體大廠仍舊持續擴充產能，因此記憶體出貨量仍持續成長，惟因2007年記憶體供給成長太過，造成供過於求、記憶體報價大跌而出現虧損，各記憶體廠多面臨財務上的壓力，因此擴產幅度降低，成長率將較2007年低；屆時記憶體佔半導體比重又將回到25~26%的水準。
圖表 一：2001~2008年全球半導體及記憶體市場規模
資料來源：WSTS
貳、2008年記憶體市場仍以DRAM佔5成以上，但比重下降
市調機構Gartner的報告顯示，就記憶體市場整體來看，2007年DRAM市場仍較2006年維持約57%的比重，而2008年受到各DRAM大廠擴產趨緩的影響，比重呈現下滑。至於NAND
Flash部分，受到應用領域擴張的助益下，隨身碟與記憶卡的需求將使得2008年NAND Flash的比重由07年的22%擴張至26%。
圖表 二：2004~2010年全球記憶體市場規模比重
資料來源：Gartner
參、記憶體廠保守看待資本支出
Gartner於10月指出，在全球半導體業者削減2008年資本支出情況下，目前半導體設備市場疲軟的態勢，恐將持續至2008年，因此下修08年半導體設備支出預測值，由先前預估的457億美元調降至437億美元。
而就記憶體廠而言，由於2007年大多數記憶體供應商面臨虧損的命運，恐怕無法應付高額的資本支出，因此市調機構iSuppli便預期2008年記憶體資本支出將由2007年的280億美元，降至220億美元。其中，有鑒於2007年的報價劇跌走勢，各DRAM無不謹慎看待資本支出，故預期2008年DRAM記憶體設備支出將縮水；然而，因為看好NAND
Flash市場，供應商和第3方（third party）代工業者，卻反而將訂購更多設備。
由下表中可知，2008年全球各主要記憶體廠僅韓國三星電子將維持如2007年的資本支出預算，而其主要資金運用是以NAND Flash為主。
圖表 三：全球各主要記憶體廠2007、2008年資本支出預估
|
廠商 |
07年資本支出 |
08年資本支出 |
變動情形 |
|
海力士 |
4.4兆韓元 |
4兆韓元 |
-10% |
|
爾必達 |
1,300億日圓上修至1,600億日圓 |
未公佈 |
- |
|
三星 |
9.17兆韓元 |
接近07年 |
持平 |
|
美光 |
40億美元 |
25億美元 |
-37.50% |
|
南亞科 |
600億元新台幣 |
300億元新台幣 |
-50% |
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華亞科 |
450億元新台幣 |
300億元新台幣 |
-33% |
|
力晶 |
706億元新台幣(包括瑞晶的資本支出225億元) |
300億元新台幣(不含瑞晶) |
含瑞晶-58%(不含瑞晶-38%) |
|
茂德 |
18.75億美元 |
8億美元 |
-57% |
資料來源：各廠公司資料
肆、DRAM概況
2007年DRAM市場因為Vista效應不如市場原先預期，導致供給增加的幅度遠超過需求的成長幅度、供過於求嚴重，使得合約價和現貨價雙雙大跌。單就DDR
II 512MB 64Mx8 533MHz來看，2007年初現貨價為6.32美元，至12/5已跌至0.94美元，跌幅高達85%。
圖表 四：2007年DRAM II 512MB價格走勢圖
資料來源：Bloomberg
2008年全球DRAM廠產出成長率走緩，需求仍維持強勁
現階段DRAM廠商在2007年到底虧損多大已經不是重點了，而是廠商間減產及控制資本支出的程度，才是帶領整體產業健康發展的一個重要的基石。就未來的DRAM供給面展望而言，DRAM廠商因財務壓力大增，加上市場供給過多，導致資本支出減少、擴產縮手；另一方面，先前各廠在70奈米的製程轉換上都未如預期順利，可望進一步抑制供給，因此研究部預期位元成長將趨緩。
此外，市調機構iSuppli估計2007年DRAM全球位元成長率約為97%；至於2008年，有鑒於記憶體廠紛紛下調資本支出展望，全球DRAM位元出貨量年增率將不到60%，遠低於07年的高成長率，供給的成長轉為緩和有助於市場供需的平衡。
圖表 五：2007、2008年國內主要記憶體廠DRAM位元成長率
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公司名稱/位元成長率(%) |
07Q4 |
2007年 |
2008年 |
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南亞科 |
3~5 |
65~70 |
80(由於南科有自有12吋廠的加入) |
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力晶 |
20以上 |
90 |
50~70 |
|
茂德 |
0 |
85~86 |
50以下 |
|
華亞科 |
5~10 |
110 |
50 |
資料來源：各廠法說會
就未來的DRAM需求面展望而言，首先，隨著Vista推出的時間拉長，相關軟體的配合也逐漸成熟，加上DRAM低價化的刺激，預計2008年個人電腦搭載的記憶體容量將逐漸提升；此外，各應用面的記憶體需求也出籠，例如數位化引起液晶電視的需求提升，而每一台液晶電視至少需要1GB記憶體，還有低價PC包括Eee
PC及OLPC等所需要的記憶體提升，也將更進一步推升。在記憶體需求續增下，力晶預測市場最多可吸收約7至8成的位元成長率；而華亞科則預估可吸收5至6成。
記憶體廠加速製程轉換以降低成本
由於報價波動劇烈，使得各廠積極投入更先進技術生產以壓低成本、減少虧損。目前各DRAM廠製程轉換尚在進行，轉換過程中雖然曾遇到瓶頸，但已在陸續解決當中，2007年下半年延續至08年都是國內記憶體廠轉換高峰期。
力晶及茂德是國內最先由90奈米轉成70奈米的DRAM廠，皆於第三季開始由90奈米分批轉換為70奈米製程，而華亞科也應客戶要求，第三季開始將部份產出由90奈米轉為80奈米產出，之後再陸續由90奈米及80奈米轉為70奈米的製程。至於南亞科新投入的12吋1廠則全數將由70nm量產，另外進度比較落後的華邦電預計在1H08才會開始轉換製程。
圖表 六：2005~2007年DRAM製程比重變化圖
資料來源：拓墣產研
DRAM產業結構變化
由於DRAM以及NAND
Flash售價重挫，使許多規模相對較小的廠商被迫退出市場，或是縮小營業規模，因此未來大者恆大的狀況只會愈來愈明顯，尤其是在產業景氣不佳狀態下，想要改變這樣情況機率相對不大。舉例來說，據日經新聞日報導，爾必達社長Yukio
Sakamoto表示，如果爾必達出手併購部分台灣DRAM同業的話，全球產能將會出現快速整合，雖然現在不是談併購的時機，但未來並不排除有這樣的可能性。在高度競爭、記憶體產業整併淘汰賽才正要開始，順利勝出者，才有機會為下一波景氣循環暖身，並進入更高階的的製程。
伍、NAND Flash概況
2007年7月雖然三星跳電意外致使供給減少、報價上揚，但因為第二季時部份NAND Flash廠商將DRAM產能轉至生產NAND
Flash，導致目前市場也出現供過於求的情況，尤其現在進入淡季，需求力道較弱的情況下，報價也呈現跌勢。不過，在NAND
Flash產業鏈中，台系相關廠商的火力都集中在中游部分，因此對於國內相關廠商當中，以模組廠及封測廠受NAND Flash市場的影響較大。
圖表 七：2007年NAND Flash 8Gb MLC價格走勢圖
資料來源：Bloomberg
手機應用是推升NAND Flash成長主力
2007年消化NAND Flash最大的應用仍是在數位相機，不過推動NAND
Flash市場成長的最大動力來源是手機應用。根據市調機構報告顯示，2008年推動NAND
Flash市場成長的最大動力來源仍是手機，主要是拜相機手機和多媒體手機之賜，而且預計到了2010年，手機將消化NAND
Flash產出達70%，插卡式手機比重將提升至70%。此外，小型記憶卡應用面的擴大也是NAND
Flash需求增長的關鍵，根據IEK統計資料顯示，2006至2009年小型記憶卡的年複合成長率即高達22.0%，其市場成長性可期。
圖表 八：2000~2010年NAND Flash市場規模
資料來源：拓墣產研
圖表 九：2004~2009年小型記憶卡市場規模
資料來源：IEK
