台灣積體電路製造股份有限公司

(一)公司簡介

1.沿革與背景

台灣積體電路製造股份有限公司(台積電)成立於1987年2月21日，為全球最大的專業積體電路(IC)製造服務公司，其經營策略為只提供客戶專業積體電路之製造技術服務，而不設計、生產、或銷售自有品牌產品，不與客戶做商品之競爭。

公司首創建置資訊平台—虛擬晶圓廠(Virtual Fab)，提供整套服務，客戶亦可從晶圓廠、封裝廠到測試廠整個供應鏈掌握訂單進度。

公司於1994年9月5日上市，其ADR於1997年10月8日在NYSE掛牌，股票代碼為TSM。

公司於2023年7月28日啟用位於竹科寶山的全球研發中心。

公司將於德國慕尼黑設立晶片設計中心，預計於2025年Q3正式啟用。

2.營業項目與產品結構

業務範圍涵蓋IC製造服務及其相關項目，提供包括晶圓製造、光罩製作、晶圓測試與錫鉛凸塊封裝及測試等客戶支援服務。

2026年Q1製程比重為3奈米25%、5奈米36%、7奈米13%、16/20奈米7%、28奈米7%、40/45奈米3%、65奈米4%、90奈米1%、0.11/0.13微米1%、0.15/0.18微米2%、0.25微米及以上1%；技術平台比重為高效能運算61%、智慧型手機26%、物聯網6%、車用電子4%、消費性電子1%、其他2%。

產品圖：

圖片來源：公司網站

(二)產品與競爭條件

1.產品與技術簡介

台積電在技術及產能均居產業領導地位，是全球第一家有能力量產40奈米以下技術的晶圓代工廠，其40奈米規模與良率優於同業，40奈米佔全球8～9成市佔，28/20奈米生產時程至少領先同業三季以上。

(1)邏輯製程技術
．TSMC A16^TM技術
．2奈米(N2)技術
．3奈米鰭式場效電晶體(Fin Field-Effect Transistor, FinFET)(N3)技術
．N3增強型(N3 Enhanced，N3E)技術
．N3強效版(N3P)技術
．N3X技術
．4奈米FinFET(N4)技術
．N4強效版(N4P)技術
．N4精簡型強效版(N4C)技術
．N4X製程技術
．5奈米FinFET強效版(N5 Plus，N5P)技術
．6奈米FinFET(N6)技術
．N6超低功耗(Ultra Low Power，ULP)技術-N6e™
．7奈米FinFET(N7)及7奈米FinFET強效版(N7+)技術
．奠基於12奈米FinFET精簡型強效版(12nm FinFET Compact Plus, 12FFC+)的N12e™技術
．22奈米超低漏電(Ultra-Low Leakage, ULL)(22ULL)技術

(2)特殊製程技術
．N3A 0.9版製程
．N4C射頻(Radio Frequency, RF)技術
．5奈米FinFET車用(N5A)技術
．第二代N6RF(N6 RF+)技術
．12FFC+射頻技術
．16奈米FinFET精簡型(16nm FinFET Compact, 16FFC) 射頻增強版(Enhancement III)技術
．N12e^® RRAM
．28奈米超低漏電(28ULL)電阻式隨機存取記憶體(Resistive Random Access Memory, RRAM)技術
．28奈米高壓製程
．十二吋晶圓40奈米絕緣層上覆矽(40nm Silicon On Insulator, N40SOI)技術
．80奈米技術
．先進40奈米雙載子–互補式金屬氧化半導體–擴散金屬 氧化半導體(Bipolar-CMOS-DMOS, BCD)技術
．90奈米BCD技術
．0.13微米BCD技術
．第二代六吋矽基板氮化鎵(Gallium Nitride on Silicon, GaN)開關元件技術
．互補式金氧半導體影像感測器(CMOS Image Sensor, CIS)技術
．COUPE(Compact Universal Photonics Engine)三維立體光子堆疊技術

(3)TSMC 3DFabric®
．TSMC-SoIC®(系統整合晶片)晶片對晶圓(Chip on Wafer, CoW)堆疊技術
．TSMC-COUPE^TM(緊湊型通用光子引擎)
．CoWoS®(Chip on Wafer on Substrate)
．CoWoS®-R(Chip on Wafer on Substrate with Redistribution Layer Interposer)技術
．CoWoS®-L技術
．TSMC-SoWTM(System on Wafer)系統級晶圓技術
．多晶片整合型扇出層疊封裝(Integrated Fan-Out Multi-Chips with Package-on-Package, InFO_M_PoP)技術
．細小間距陣列銅凸塊(Cu Bump)技術

2.重要原物料

公司產品所需之原物料包括矽晶圓、製程用化學原料、黃光製程材料、氣體，以及研磨液、研磨墊、鑽石碟等。

3.主要生產據點
 

2020年5月公司宣布將於美國亞利桑那州設廠，投資總額達400億美元，主要生產5奈米製程技術半導體晶片，第一座晶圓廠(N4製程)於2024年底量產；第二座(3奈米製程)晶圓廠已完工；第三座廠區(N2與A16製程)已開工。

2021年11月公司與Sony Semiconductor Solutions Corporation共同宣布，雙方將合作在日本熊本縣興建一座晶圓廠「Japan Advanced Semiconductor Manufacturing(JASM)」，其中Sony Semiconductor Solutions將出資約5億美元、取得JASM不到20%的股權。而2022年2月DENSO投資3.5億美元取得JASM超過10%的股權。JASM熊本廠資本支出由原先70億美金提高到86億美元，提供22/28奈米製程及12/16奈米鰭式場效製程，於2022年4月開始興建，2024年底量產。公司規劃在熊本縣菊陽町興建第二座工廠，總投資約1兆日圓，用於生產12奈米晶片，已於2025年下半年動工，預計2027年底量產。

2021年11月公司決議將在高雄設廠，設立生產7奈米及28奈米製程的晶圓廠，2022年10月宣布調整產能規劃，優先切入28奈米，2023年7月調整為2奈米廠，已於2025年Q4量產。

2023年8月宣布與Infineon、NXP及Bosch合資成立歐洲半導體製造公司(ESMC)，在德國德勒斯登興建12吋晶圓廠，切入28奈米生產車用相關晶片，該廠預計於2027年底前量產。

公司於2024年8月以171.4億元購買群創南科5.5代面板廠(南科4廠)廠房及附屬設施，預定2024年11月點交，已於2025年Q1裝機試產，將納入晶圓代工與3D IC，初期建置以CoWoS產能為主。

公司於2025年3月宣布將在美國興建三座晶圓廠、二座先進封裝廠及一座研發中心。

2026年1月公告，董事會通過於美國亞利桑那州鳳凰城購地，將向亞利桑那州政府取得約365萬平方公尺土地，交易總金額達1.97億美元(約新台幣63億元)，擴大布局美國製造。

(三)市場銷售及競爭

1.銷售狀況

公司主要服務客群為無晶圓廠設計公司、整合元件製造廠，客戶包含AMD、Amazon、Broadcom、Intel、聯發科、NVIDIA、NXP Semiconductors、Qualcomm、Renesas Electronics、Sony Semiconductor Solutions、STMicroelectronics等。

2.國內外競爭廠商

晶圓代工業務競爭對手包含SAMSUNG ELEC、中芯國際、聯電、GlobalFoundries、華虹半導體、Tower Semiconductor、力積電、晶合集成等公司。