請參考台灣積體電路製造股份有限公司
公司成立於1987年2月21日，是全球第一家也是全球最大的專業積體電路製造服務公司，根據統計，2009年台積電於全球晶圓代工的市佔率達45%，領先第二名聯電的14%。公司經營策略為只提供客戶專業積體電路之製造技術服務，而不設計、生產、或銷售自有品牌產品，不與客戶做商品之競爭。
公司在台灣有兩座十二吋晶圓廠，四座八吋晶圓廠，及一座六吋晶圓廠；並有轉投資海外子公司Wafertech、新加坡(與NXP合資的SSMC)及上海松江廠等晶圓廠。
公司替客戶製造之積體電路產品，運用於個人電腦、行動電話、電腦周邊、通訊網路、汽車電子、數位影音產品、遊戲機、數位相機等終端產品。
台積電2008年第一季產品比重中通訊產品佔營收42%、PC產品佔34%、消費性產品佔17%、記憶體佔 2%、其他佔5%。在製程比重部份65nm佔15%、90nm佔28%、0.11~0.13um佔20%、0.15~0.18um佔23%、 0.25~0.35um佔10%、0.5um以上佔4%。其中65nm由2007年第四季的10%提升至08年第一季的15%，2008年底則超過20%。
2008年第二季0.13um以下先進製程的營收占晶圓銷售的 63%，90奈米製程的營收占晶圓銷售的 28%。
2008年第四季各類晶片出貨量均大幅下滑，晶圓出貨量153萬片約當8吋晶圓，QoQ-36.4%，YoY-35%，其中通訊、PC和消費性電子產品營收QoQ分別衰退-32%、-34%及-39%。
2008年第四季產品營收比重中，通訊產品佔營收43%、PC產品佔32%、消費性產品佔19%、其他佔6%。
2008年第四季，來自先進製程(0.13um以下)營收佔整體營收比重65%，其中90nm製程營收佔比重21%，65nm製程營收佔比重27%。
2008年總產能為937萬片(約當8吋晶圓)，其中12吋產能增加25%。資本支出為18.9億美元。
2009年三月和英特爾簽訂的合作備忘錄(MOU)，將透過台積電的矽智財（IP）基礎，增加Atom系統單晶片的供應以及應用功能。這是英特爾首次將CPU訂單外包，台積電成為Atom平台的最大受惠者。英特爾想利用Atom跨入傳統電腦之外的應用市場，如嵌入式CPU市場，例如行動上網裝置(MID)、智慧型手機、小筆電(netbook)、迷你桌上型電腦(netTop)以及交流電力式消費性電子裝置。透過這項協議，台積電的技術平台已可支援未來英特爾的x86嵌入式產品。
2009年第一季高階製程 90nm以下的產品已佔營收比重49%，65nm製程佔23%，40/45nm製程開始量產，並著手於28/32nm的製程發展。
2009年第一季產品營收比重中，通訊產品佔營收46%、PC產品佔26%、消費性產品佔21%、其他佔7%。
2009年第二季產品營收比重中，通訊產品佔營收45%、PC產品佔28%、消費性產品佔21%、其他佔6%。在製程方面，2009年第二季在65nm製程佔營收比重提升至28%，40nm製程比重為1%，良率由第一季30%提升至60%，2009下半年40nm製程的營收貢獻將明顯提升，至年底佔營收比重10%。
2009年第三季晶圓出貨量244.4萬片(8吋約當晶圓)，較第二季的248.3萬片略減1.57%，主要有部份90nm產能移轉至高階65及40nm製程。
2009年第三季，產品營收比重中，通訊產品佔營收46%、PC產品佔30%、消費性產品佔18%、其他佔6%。按製程比重：90nm製程佔營收比重18%，65nm製程佔營收比重31%，40nm製程比重為4%。
2009年第四季晶圓出量243萬片(8吋約當晶圓)，較第三季的244.5萬片略減，但合併營收成長，主因40/45nm製程比重提升至9%，全球市佔率超過90%。
2009年第四季產品營收比重中，通訊產品佔營收39%、PC產品佔33%、消費性產品佔13%、其他佔15%。按製程比重，90nm製程佔營收比重16%，65nm製程佔營收比重30%，40nm製程比重為9%。
2009年初原訂資本支出降低至15億美元，在半導體景氣落底下，及投入40/45nm、28/32nm、22nm等先進製程之研發，調高全年的資本支出至26.7億美元，研發費用佔營收比重由2008年的6.5%提升至 7.8%。
2009年的產能達到9,935千片約當8吋晶圓，12吋的產能增加10%，佔總產能達41%。
2009年12月9日台積電與茂迪簽署認股結盟合約，正式入股太陽能電池大廠茂迪，台積以認購茂迪(6244)公司以私募發行之普通股新股共7,532萬股，認購之總金額約62億元(約美金1.93億元)，每股認購價格為新台幣82.7元，掌握茂迪二成持股成為該公司最大股東。
2010年全球半導體產業產值YoY+18%，其中成長動能來自於記憶體產品，成長超過30%，晶圓代工產業YoY可望成長29%，而台積電營收成長率可望優於晶圓代工產業。
台積電估2010年PC可望成長14%，手機可望成長12%，消費性產品則成長7%。
折舊費用，2010年較2009年增加約10%。
2010年3月25日在新竹科學園區舉行LED照明技術研發中心暨量產廠房動土典禮，跨入綠色能源事業，分兩階段興建，第一期廠房設施及生產設備的投資額為55億元，預計2010年第4季可完工裝機，2011年第1季開始量產，第二期工程，則將依據未來的發展需求擇期進行。
台積電看好LED照明產業，將發揮在半導體的製造能力，進行LED照明技術、製程、封裝與測試的研發與整合，2011年起並將率先以LED光源(Light Source)以及LED光引擎(Light Engine)等產品切入市場。
2010年4月，公司宣佈跳過22奈米製程，直接發展20奈米製程，2012年下半年起開始20奈米製程技術進行試產工作，以平面製程(planar process)為基礎，並採用高介電層/金屬閘(High-k Metal Gate)、第五代創新應變矽(strained silicon)以及超低介電值銅導線等技術。跳過22奈米製程，直接導入20奈米製程技術，主因於20奈米製程技術的閘密度、晶片效能暨成本比，較22奈米更具成本優勢，台積電的微影技術也跨入下一世代，與Mapper合作無光罩多重電子束微影技術，以及與ASML合作的極紫外光（EUV）微影技術等。
2010年底前，40/45nm良率及產出狀況改善，毛利率會與公司平均毛利率相當。28nm技術開發將於2010年中Tape-out，已有客戶，但2010年底前不會進入量產，量產時點在2011上半年。
2010年Q1，下游應用比重為通訊產品佔39%、PC佔32%、消費性電子佔14%、工業與其他佔15%。90nm製程佔營收比重17%，65nm製程佔營收比重27%，40/45nm製程比重為14%、0.11/0.13um佔13%、0.15/0.18um佔18%、0.25/0.35um佔8%。總產能256.6萬片，季增1.3%。毛利率為47.9%。
台積電已計劃在中科興建第3座12吋超大型晶圓廠Fab15，月產能10萬片，從40奈米製程技術切入，再導入28奈米，預計2010年中動土。且台積電也計畫擴建竹科12吋廠Fab12的第5期工程、及南科12吋廠Fab14的第4期工程，完成後單月產能各超到10萬片。
超微(AMD)預計於2011年下半年推出Ontario處理器，以及威盛的新版雙核心Nano處理器，將採用台積電40奈米製程投片量產，台積電與超微的代工合作首次從繪圖晶片延伸至x86 CPU。先前超微CPU代工主要是交給GlobalFoundries公司以絕緣層上覆矽(SOI)製程生產，至於採用塊狀矽(Bulk CMOS)技術的繪圖晶片(GPU)，則全部交由台積電以40奈米製程代工。
2010/6/16日宣布旗下VentureTech Alliance公司投資美商Stion公司5000萬美元(折合新台幣約16億元)，並持有該公司約21%的股份，取得薄膜CIGS製程技術，雙方並在技術授權、生產供應以及合作開發方面簽訂協議。
Stion是一家開發高效能薄膜太陽能電池模組的公司，Stion公司將授權並移轉其薄膜CIGS製程給台積電，而台積電將提供一定數量的太陽能電池模組予美商Stion公司。
台積電上修2010年資本支出增至59億美元，增幅達2成，其中79%用於先進製程、13%提供成熟製程使用，8%為研發支出，並提撥1億美元用於太陽能與LED。
2010年Q2，90nm製程佔營收比重16%，65nm製程佔營收比重27%，40/45nm製程比重為16%、0.11/0.13um佔13%、0.15/0.18um佔17%、0.25/0.35um佔8%。40奈米占營收比重，已從第一季的14%提高到16%，估計至2010年底時40奈米製程占營收可達20%，市占率達八成。
2010年Q2總產能增至275萬片8吋約當晶圓，QoQ+7%，Q3總產能達294萬片8吋約當晶圓，QoQ+7%，Q4總產能估達304萬片8吋約當晶圓，QoQ+3.5%。2010年總產能上看1130萬片8吋約當晶圓，年增率14%，其中先進製程產能增加36%。
2010年資本支出，由原預估的48億美元增至59億美元，其中，58億美元用於晶片製造，而1億美元則用於太陽能以及LED新事業的發展上。2010年Q2資本支出金額為16.6億美元，累計上半年資本支出達31億美元。
