MoneyDJ新聞 2016-10-06 15:01:20 記者 陳苓 報導
廠商爭相投資，3D NAND Flash前景不妙？據傳三星電子平澤廠(Pyeongtaek)將提前投產，SK海力士(SK Hynix)、東芝(Toshiba)、美光(Micron)產能也將於明年下半全面開出，屆時3D NAND可能會從供不應求、淪為供給過剩。
BusinessKorea 6日報導，NAND需求爆發，據悉三星電子決定平澤廠完工時間提前三個月，改在明年三、四月開始生產第四代64層3D NAND。三星平澤廠完工，加上原本的華城(Hwaseong)廠，屆時三星3D NAND產能將從當前水準提高兩倍、至32萬片。
SK海力士也準備生產3D NAND，仁川廠M14線無塵室正在裝設儀器，估計第二代36層3D NAND可在今年第二季出貨、第三季量產。第四季將加碼投資第三代48層3D NAND，估計未來3D NAND將佔SK海力士產出的一半。
與此同時，陸廠武漢新芯也打算砸下120億美元打造新廠，該公司與美商Spansion共同研發3D NAND。日廠東芝則與Western Digital攜手，準備量產3D NAND。
韓媒etnews 4日報導，業界消息稱，NAND Flash價格一路向上，三星眼看機不可失，決定平澤廠將提前三個月投產。目前平澤廠的建築工事進入尾聲，正修築工廠外牆，預料12月完工，緊接著要開始設備投資，購買無塵室設施和晶圓生產儀器等。
多名設備業人士表示，三星若想在2017年初裝設儀器，現在就得下單，據稱三星不久後就會開始發出訂單。外界預料，平澤廠將名為18代線，明年第二季季初或季中開始營運，負責生產第四代64層3D NAND Flash。第一階段每月產量為4~5萬片12吋晶圓，約為18代線總產量的1/4(總產量為20萬片)。估計第一階段投資金額為27.2~31.7億美元(3兆~3.5兆韓圜)。
南韓媒體朝鮮日報日文版報導，三星8月11日宣布，第4代V-NAND Flash(3D NAND)產品將在2016年Q4(10-12月)開賣，該款產品將採64層堆疊。三星指出，藉由採用64層堆疊技術，每片晶圓的儲存容量可較現行技術提高30%、能有效改善成本競爭力。
三星為全球第一家量產3D NAND的廠商，於2013年研發出堆疊24層的3D NAND之後，就逐步將技術升級至32層、48層，此次則進一步提升至64層。
東芝7月27日發布新聞稿宣布，已研發出堆疊64層的3D NAND製程技術，並自當日起領先全球同業開始進行樣品出貨，且預計將透過甫於7月完工的四日市工廠「新第2廠房」進行生產。
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