台積Q4試產20nm SoC；明年推16nm FinFET製程

精實新聞 2012-11-23 17:46:53 記者 王彤勻 報導

ARM今(23)日舉辦年度技術研討會，台積電(2330)技術長孫元成(見附圖)獲邀出席，分享台積電於先進製程的佈局。孫元成指出，台積電的20奈米SoC解決方案預計今年Q4即可試產(risk production)，而相隔一年後、明年11月則預計推出16奈米FinFET製程(技術水準相當於競爭者的14奈米)的試產，相對於20奈米製程將能更節省功耗、效能也更高。至於再下一個世代的10奈米FinFET製程，台積電則預計於2015年底推出。

關於20奈米SoC的功耗與效能表現，孫元成表示，20奈米SoC解決方案若相較於28奈米HKMG(高介電常數金屬閘極)製程，可增加約25%的效能，並減少30%的耗能，跨入16奈米製程後，則是FinFET架構的天下，而ARM也和台積電攜手合作，台積電將使用ARM的首款64位元處理器v8來測試16奈米FinFET製程，並可望在明年11月推出首款測試晶片。

孫元成指出，台積電研發FinFET架構超過10年，由於FinFET架構的閘極包覆奈米線通道的角度相當完整，因此具備節省功耗的優點，很適合應用於行動裝置，可說從智慧型手機、平板到工業用途都罩得住。而明年底16奈米FinFET製程也就可以驗證完畢，目前則已經送樣，此部分佈局可說已經就緒。

關於業界討論熱烈的摩爾定律是否有所侷限，對此孫元成觀察，摩爾定律還有長路可走，雖然極紫外光微影製程(EUV)發展速度稍有延遲，但他認為只要EUV技術可以做到成熟，接下來一直到5奈米製程都可以持續趨近遵循摩爾定律；而除摩爾定律外，台積電也正在研發3D晶片堆疊技術，可望為先進製程開拓更多可能性。