法國CEA-Leti計劃五年內砸逾5億歐元，開發FD-SOI晶片技術

法國CEA-Leti大手筆投資FD-SOI晶片技術

法國產業雜誌新工廠(UsineNouvelle)6月27日報導，根據法國政府制定的藍圖，法國資訊技術電子研究所(Laboratoire délectronique des technologies de linformation, CEA-Leti)計劃在五年內投資逾5億歐元開發完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體 (FD-SOI)技術，以確保該國在半導體領域之自主權，同時呼應歐盟之要求，善用是項技術優勢推行生態與數位轉型，並以10奈米FD-SOI晶片為主要目標，盼藉此滿足汽車、手機產品及物聯網等領域對產品性能與能效日益提升之要求。

此投資案將興建一座占地2000平方公尺之專用無塵室，預計於2025年初開始營運，此外歐盟可望亦將相應出資，以達所需臨界規模，順利促進研發直至實現工業化；其技術轉移之主要對象將為STMicroelectronics與GlobalFoundries位於法國東南部Crolles之共有超級半導體晶圓廠( méga-fab )，負責量產先進FD-SOI電路。(資料來源：經濟部國貿局)