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DRAM新發展!三星開發12層3D封裝、將推24GB HBM

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MoneyDJ新聞 2019-10-09 14:40:25 記者 陳苓 報導

三星電子宣布,開發出業界首見的12層3D矽穿孔技術(Through-Silicon Via、簡稱TSV)。DRAM晶片的堆疊層數能從8層增至12層,不久後將量產24GB的高頻寬記憶體(HBM)。

三星新聞稿稱(見此),12層3D-TSV技術,被視為量產高效能晶片最具挑戰的封裝技術之一,需要極度精準,才能讓12層DRAM晶片,透過6萬個TSV穿孔的3D結構,垂直互連,厚度只有人類頭髮的1/20。

採用此一封裝技術的產品,厚度為720微米,與當前8層的二代高頻寬記憶體相同(見圖)。這是零組件設計的重大進展,客戶可以推出新一代的大容量、高效能產品,卻毋須更動系統結構設計。不只如此,和現行的打線接合(wire bonding)技術相比,3D封裝能縮短晶片間的數據傳輸時間,可提高速度、減少耗電。

三星電子的測試與系統封裝執行副總Hong-Joo Baek說,摩爾定律瀕臨界線,預料3D-TSV技術將益發重要,希望成為此一先進封裝技術的要角。

*編者按:本文僅供參考之用,並不構成要約、招攬或邀請、誘使、任何不論種類或形式之申述或訂立任何建議及推薦,讀者務請運用個人獨立思考能力,自行作出投資決定,如因相關建議招致損失,概與《精實財經媒體》、編者及作者無涉。


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