英特磊科技股份有限公司
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(一)公司簡介
1.沿革與背景
英特磊科技股份有限公司(IET-KY)於2011年4月26日在開曼群島設立,營運主體位於美國德州,為全球磷化銦、銻化鎵磊晶片代工領導廠,採用MBE技術從事砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、銻化鎵(GaSb)等III-V族化合物半導體磊晶(Epi)的生產,具有基板到磊晶的垂直整合技術能力,提供無線通訊、衛星通訊、光纖通訊等商業用途,以及太空與國防上的紅外線感測、夜視、攝影等產品應用,2013年7月24日上櫃
2.營業項目與產品結構
公司主要產品包含GaAs pHEMTs(砷化鎵假型高電子遷移電晶體)、InP HBTs(磷化銦異質接面雙極電晶體)及銻化鎵(GaSb)紅外偵測器磊晶晶片。
2023年Q3產品營收比重為砷化鎵磊晶片39%、磷化銦磊晶片39%、銻化鎵及勞務收入21%、其他1%;產品應用比重為射頻(物聯網、航太、無線通訊)13%、汽車防撞及車用19%、光纖網路19%、高速傳輸元件27%、紅外線偵測12%、硬體構件10%。
產品圖:
圖片來源:公司法說會
(二)產品與競爭條件
1.產品與技術簡介
主要產品 |
應用領域 |
砷化鎵(GaAs)磊晶片 |
・無線通訊射頻開關(switch)、無線區域網路(WLAN)
・雲端運算應用(VCSEL)
・資料儲存應用
・夜視應用(QWIP)
・汽車防撞雷達、霍爾(Hall)效應偵測元件
・光通訊應用(10G,40G,100G network)
・自駕車及手機測距及辨識(VCSEL) |
磷化銦(InP)磊晶片 |
・功率放大器(PA)
・光纖通訊(FTTH)、高頻量測設備(InP HBT)
・資料傳輸應用
・雲端運算應用(APD, PIN)
・低雜訊放大器(LNA)
・生物醫學應用 |
紅外線偵測器材料
銻化鎵(GaSb)磊晶片
銻化銦(InSb)基板 |
・夜視應用
・衛星偵測
・居家保全,國土監控應用
・太空軍事應用
・醫療診斷應用 |
氮化鎵(GaN)磊晶片 |
・高功率高頻射頻及功率電子 |
2.重要原物料
公司產品主要原料包含Substrates基板、III-V 族元素材料(Ga、In、Al、As、P、Sb)。
3.主要生產據點
公司生產基地位於美國德州。
(三)市場銷售及競爭
1.銷售狀況
2023年Q1銷售區域比重:美國62%、德國23%、中國6%、日本5%、韓國2%、其他12%。
2.國內外競爭廠商
以MBE技術而言,全球僅兩家專業MBE磊晶代工廠,包括IQE及英特磊。
主要產品 |
競爭廠商 |
HBT/MOCVD
pHEMT/MBE
pHEMT/MOCVD |
全新、台灣高平磊晶、巨鎵科技、IQE、Soitec、Hitachi Cable |
LD/MOCVD
LD/MBE
PD/MOCVD
PD/MBE |
全新、晶電、聯亞、華力捷、IQE、II-VI |
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