環宇通訊半導體控股股份有限公司

(一)公司簡介

1.沿革與背景

環宇通訊半導體控股股份有限公司(GCS Holdings, Inc)為2010年11月於開曼群島設立之控股公司，並於2010年12月28日與Global Communication Semiconductors, Inc.股東完成換股，因此GCS Holdings, Inc.成為集團之控股母公司。

GCS USA於1997年8月成立，獲美國IDM大廠Anadigics簽訂InGaP HBT技術轉移合約，公司主要從事砷化鎵/磷化銦/氮化鎵高階射頻及光電元件晶圓製造代工。集團主要營運地位於美國加州，是美國在射頻和光電元件晶圓領域裡之技術領導者和唯一純專業晶圓製造廠。

2.營業項目與產品結構

公司產品服務項目：

(二)產品與競爭條件

1.產品與技術簡介

公司產品專注射頻無線通訊基地台及基礎設備元件等利基市場，以單價較高且要求更高元件特性之基地台和射頻基礎設施設備所需的功率放大器、電壓控制振盪器及其他元件為主。將用於製造手機用功率放大器(PA)及射頻開關(Switch) 的技術授權給國內的宏捷和聯穎光電，以收取權利金。

公司的異質接面雙極性電晶體(HBT)技術在功率及線性的特性遠優於其他同業，因此是全世界前二大射頻無線通訊基地台及基礎設備元件功率放大器供應商的晶圓代工廠。

光電元件種類繁雜且各家設計不同，因設計不同而導致製程的差異，並無像砷化鎵晶圓代工有所謂的標準製程。在自有光電元件品牌方面，公司的一系列光探測器晶片，包括了砷化鎵 (GaAs) 和砷化銦鎵 (InGaAs) 兩種，涵蓋從低數據傳輸速度 (155 Mbps) 到高數據傳輸速度 (10 Gbps)。除暗電流小 (low dark current) 之外，公司的光探測器更可達到高響應度 (high responsivity)，光探測器是光通訊不可或缺的關鍵性元件。

2.重要原物料及相關供應商

主要原料為磊晶晶圓片，公司與IQE、全新光電和Kopin建立長期策略聯盟來增加雙方密切合作關係。

3.產能狀況與生產能力

公司生產基地位於美國加州，主要生產4吋晶圓，是全球唯一同時擁有射頻和光電元件製造技術的化合物晶圓代工廠商，超過85%的產能用於生產無線射頻晶圓，不到15%的產能來生產光電元件和其他高附加價值的產品。

公司規劃2015年資本支出約200~400萬美元，用於去瓶頸、汰換設備及自動化生產。為優化產品組合，公司將低毛利產品以策略聯盟方式委外代工，公司並考慮透過策略聯盟建置6吋產能。

4.新產品與新技術

2014年公司將積極開發下列主要的技術：

A.射頻元件晶圓代工

a. 應用於毫米波頻高功率放大器的0.15微米氮化鎵/碳化矽/HEMT技術
b. 高壓、高功率轉換氮化鎵HEMT
c. 碳化矽高壓二極體及場效應電晶體園建設計與製造
d. 802.11.ac及3G/4G手機PA的高頻與高功率轉換率砷化鎵雙極電晶體
e. 超低噪音GaAs E/D-mode pHEMT，用於手機、WLAN、GPS、VSAT等接受器

B.光電元件晶圓代工

a. 光電元件集成製程
b. 雷射製程
c. VCSEL
d. 光探測器: 10 Gbps雪崩光探測器( APD)& 25Gbps 光探測器(PIN PD)

(三)市場需求與銷售競爭

1.產業結構與供需

受惠於全球電信商佈建4G網路，提升基地台用的高功率射頻元件產品與光纖傳輸用的光電產品穩定成長，其中，大陸4G網路佈建成長快速，再加上公司主要出貨大陸客戶，且將射頻產能移轉至光電產能，已切入各光纖零組件廠之供應鏈，帶動公司營運表現。

2.銷售狀況

2018年銷售區域比重：大陸佔49%、美國佔37%、台灣佔11%、其他佔3%。

公司佔全球砷化鎵基地台及設備所需的射頻元件晶圓之代工市佔為15％，在光電元件晶圓代工市佔約8％。

砷化鎵代工客戶包括RFMD、TriQuint、MA-COM、ADI(Hittite於2014年6月被ADI收購)，且間接成為中興及華為的供應鏈之一，光電元件晶圓代工之客戶則有大陸客戶，如海信寬帶等。

2015年公司規畫將10%射頻元件產能移至光電元件，為降低成本，外包部分基地台產品訂單予宏捷科及聯穎。

3.國內外競爭廠商

砷化鎵晶圓代工國內外競爭對手包括Triquint、穩懋、聯穎與宏捷科。

光電元件晶圓製造工廠，包括Bandwidth Semiconductors、Compound Semiconductor Technologies Globale Ltd.、 Avanex、 Sarnoff 和Canadian Photonics Fabrication Center 等業者。