搶自駕商機！瑞薩傳攜手台積電研發FinFET SRAM
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2014/12/16 07:01
MoneyDJ新聞 2014-12-16 07:01:55 記者 蔡承啟 報導 日本媒體日刊工業新聞16日報導，全球最大微控制器(MCU)廠商瑞薩電子(Renesas Electronics)已研發出一項新技術，藉由活用被稱為鰭式場效電晶體(FinFET)的先端半導體結構技術，成功將半導體記憶體「SRAM」的數據處理速度呈現飛躍性的增長。報導指出，瑞薩已利用台灣台積電(2330)台灣工廠的16nm製程技術生產出上述FinFET SRAM的試作品、並完成了性能測試，證實該FinFET SRAM的處理速度可較瑞薩現行產品提高30%以上水準、且耗電力可刪減40%。
據報導，瑞薩透過台積電所生產的FinFET SRAM試作品的最大特徵就是可瞬間處理大量的數據，預估將可應用於汽車的先進駕駛輔助系統(Advanced Driver Assistance Systems；ADAS)或自動駕駛等用途。報導指出，瑞薩計畫於2020年量產上述FinFET SRAM，並將使用在自家的車載情報機器用LSI上。
日經新聞報導，瑞薩電子9月2日於東京都展示了一款融合自動駕駛、感測器技術的次世代自動駕駛系統的試作機，並計劃於2016年實用化。
該款次代自駕系統融合了瑞薩自家系統整合晶片(System LSI)及影像辨識技術，可藉由車用照相機辨識駕駛的動作，即便駕駛閉著眼睛、也能辦別危險自動將車子停靠在路肩，另外也能偵測是否有機車靠近車尾、並向駕駛提出警示。
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