Hynix積極進軍次代記憶體 與IBM攜手開發PcRAM

精實新聞 2012-06-11 10:02:31 記者 郭妍希 報導

外電報導，全球第2大記憶體製造商SK hynix Inc. 10日宣布，已與IBM Corp.簽定策略聯盟，共同發展次世代非揮發性記憶體晶片相變隨機存取記憶體(PcRAM：Phase Change RAM)以及技術授權。根據合約，雙方將發展儲存級記憶體晶片，專門用來提升伺服器與省電效能。

PcRAM的讀寫速度為傳統NAND型快閃記憶體(NAND flash)的100倍以上，耐久度也超過1,000倍。此外，PcRAM還可降低生產成本，進而成為次世代的記憶體解決方案。PcRAM能夠儲存許多資料，但速度仍不如傳統DRAM，因此可結合其他科技或作為取代快閃記憶體的技術。

SK hynix自去(2011)年起就開始與東芝(Toshiba)攜手開發先進的STT-MRAM記憶體技術。東芝主管曾表示，STT-MRAM自明年起可應用於部分個人電腦。除此之外，SK hynix還與惠普(Hewlett-Packard)攜手開發另一種次世代記憶體技術ReRAM。